2.6A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 78
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Nuvoton Technology CorporationonsemiPanasonic Electronic ComponentsPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and StorageUMWVishay SiliconixYAGEO XSEMI
系列
-HEXFET®PowerTrench®SIPMOS®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVIUltraFET™UMWXP2301µCool™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V52 V55 V59 V60 V70 V100 V150 V200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.8V,5V3V,10V3.5V,10V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
40 毫欧 @ 2.6A,10V40 毫欧 @ 2.6A,4.5V50 毫欧 @ 2A,4.5V51 毫欧 @ 2A,4.5V57 毫欧 @ 3.6A,4.5V60 毫欧 @ 3.1A,10V60 毫欧 @ 3.7A,10V62 毫欧 @ 4A,4.5V65 毫欧 @ 3.8A,4.5V67 毫欧 @ 2.5A,4.5V70 毫欧 @ 2.5A,10V75mOhm @ 2.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
850mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1V @ 2mA1.1V @ 10µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA1.9V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.9 nC @ 4.5 V3.7 nC @ 4.5 V4 nC @ 5 V4.5 nC @ 4.5 V4.6 nC @ 4.5 V4.7 nC @ 4.5 V5.2 nC @ 10 V5.3 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 10 V5.5 nC @ 4.5 V5.6 nC @ 4.5 V6.1 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-5V±8V±12V±15V±16V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
155 pF @ 35 V197 pF @ 15 V220 pF @ 16 V225 pF @ 15 V240 pF @ 15 V250 pF @ 35 V250 pF @ 10 V250 pF @ 25 V251 pF @ 6 V260 pF @ 15 V270 pF @ 20 V271 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
370mW(Ta)500mW(Ta)530mW600mW(Ta)610mW(Ta),10W(Tc)630mW(Ta)700mW(Ta)710mW(Ta)750mW(Ta)820mW(Ta)900mW(Ta)1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 85°C(TA)-25°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-CSP(1x1)4-WLCSP(0.8x0.8)6-MicroFET(1.6x1.6)6-TSOP6-UDFN(1.6x1.6)6-WDFN(2x2)ES6Micro3™/SOT-23PG-SOT223-4PG-SOT223-4-21PowerPAK® SO-8SC-70-3
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式4-UFBGA,WLBGA4-XFBGA,WLBGA4-XFBGA,WLCSP4-XFLGA,CSP6-PowerUFDFN6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UFDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘PowerPAK® SO-8SC-70,SOT-323SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-563,SOT-666TO-220-3 全封装,隔离接片
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
78结果
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/ 78
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2302CDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
52,639
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87977
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.6A(Ta)
2.5V,4.5V
57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
850mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDN306P
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
onsemi
11,357
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.20097
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.6A(Ta)
1.8V,4.5V
40 毫欧 @ 2.6A,4.5V
1.5V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±8V
1138 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2304BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
81,163
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.00824
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.6A(Ta)
4.5V,10V
70 毫欧 @ 2.5A,10V
3V @ 250µA
4 nC @ 5 V
±20V
225 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
AO3403
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
69,844
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.67385
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.6A(Ta)
2.5V,10V
115 毫欧 @ 2.6A,10V
1.4V @ 250µA
7.2 nC @ 10 V
±12V
315 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23-3
SI2302CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
71,332
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.6A(Ta)
2.5V,4.5V
57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
850mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-3
ZXMP7A17GTA
MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
Diodes Incorporated
11,622
现货
290,000
工厂
1 : ¥6.40000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.71697
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
70 V
2.6A(Ta)
4.5V,10V
160 毫欧 @ 2.1A,10V
1V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
635 pF @ 40 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-3
ZXMP10A18GTA
MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Diodes Incorporated
22,586
现货
1 : ¥14.94000
剪切带(CT)
1,000 : ¥7.07744
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2.6A(Ta)
6V,10V
150 毫欧 @ 2.8A,10V
4V @ 250µA
26.9 nC @ 10 V
±20V
1055 pF @ 50 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT-23-3
FDN86501LZ
MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
onsemi
12,068
现货
1 : ¥16.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.38849
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.6A(Ta)
4.5V,10V
116 毫欧 @ 2.6A,10V
3V @ 250µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
335 pF @ 30 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
AO3409
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
19,176
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68272
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.6A(Ta)
4.5V,10V
130 毫欧 @ 2.6A,10V
3V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23(TO-236)
SI2302CDS-T1-BE3
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
21,622
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87977
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.6A(Ta)
2.5V,4.5V
57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
850mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
DMN3067LW-7
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Diodes Incorporated
7,556
现货
1,680,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.73170
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.6A(Ta)
2.5V,4.5V
67 毫欧 @ 2.5A,4.5V
1.5V @ 250µA
4.6 nC @ 4.5 V
±12V
447 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
DMN3067LW-13
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Diodes Incorporated
5,877
现货
40,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.63359
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.6A(Ta)
2.5V,4.5V
67 毫欧 @ 2.5A,4.5V
1.5V @ 250µA
4.6 nC @ 4.5 V
±12V
447 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
18,404
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.14961
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.6A(Ta)
4.5V,10V
100 毫欧 @ 2.6A,10V
2.2V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
320 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-3
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
IRLML2246TRPBF
MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Infineon Technologies
41,718
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83708
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.6A(Ta)
2.5V,4.5V
135 毫欧 @ 2.6A,4.5V
1.1V @ 10µA
2.9 nC @ 4.5 V
±12V
220 pF @ 16 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2304BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
1,976
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.00824
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.6A(Ta)
4.5V,10V
70 毫欧 @ 2.5A,10V
3V @ 250µA
4 nC @ 5 V
±20V
225 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSH205G2AR
MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
Nexperia USA Inc.
26,074
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71555
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.6A(Ta)
-
118 毫欧 @ 2.6A,4.5V
900mV @ 250µA
7 nC @ 4.5 V
±8V
421 pF @ 10 V
-
610mW(Ta),10W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TSOT-26
DMN10H170SVT-7
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Diodes Incorporated
13,959
现货
720,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.41256
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2.6A(Ta)
4.5V,10V
160 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
1167 pF @ 25 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SG6858TZ
FDC3612
MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6
onsemi
3,344
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.80655
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2.6A(Ta)
6V,10V
125 毫欧 @ 2.6A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
660 pF @ 50 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TO-261-4, TO-261AA
PJW3P10A_R2_00001
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Panjit International Inc.
8,837
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
-
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2.6A(Ta)
4.5V,10V
210 毫欧 @ 2.6A,10V
3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1419 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
IRFL4315TRPBF
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Infineon Technologies
2,783
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.61120
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2.6A(Ta)
10V
185 毫欧 @ 1.6A,10V
5V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±30V
420 pF @ 25 V
-
2.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-3
ZXMP7A17GQTA
MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
Diodes Incorporated
2,799
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.15592
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
70 V
2.6A(Ta)
4.5V,10V
160 毫欧 @ 2.1A,10V
1V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
635 pF @ 40 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223 (TO-261)
NCV8440ASTT1G
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
onsemi
10,784
现货
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
1,000 : ¥4.04918
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
59 V
2.6A(Ta)
3.5V,10V
110 毫欧 @ 2.6A,10V
1.9V @ 100µA
4.5 nC @ 4.5 V
±15V
155 pF @ 35 V
-
1.69W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223(TO-261)
TO-261-4,TO-261AA
SOT-23(TO-236)
SI2302DDS-T1-BE3
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
5,768
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.76287
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.6A(Ta)
2.5V,4.5V
57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
850mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23(TO-236)
SI2304BDS-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
7,601
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.00824
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.6A(Ta)
4.5V,10V
70 毫欧 @ 2.5A,10V
3V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
225 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-TSOP
NTGS4111PT1G
MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
onsemi
36,114
现货
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.49448
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.6A(Ta)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 3.7A,10V
3V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
750 pF @ 15 V
-
630mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
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2.6A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。