195A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRFS7437TRLPBF MOSFET N CH 40V 195A D2PAK Infineon Technologies	7,893 现货	1 : ¥16.75000 剪切带（CT） 800 : ¥9.34603 卷带（TR）	HEXFET®, StrongIRFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	195A（Tc）	6V，10V	1.8 毫欧 @ 100A，10V	3.9V @ 150µA	225 nC @ 10 V	±20V	7330 pF @ 25 V	-	230W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263AB	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRFS4115TRLPBF MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK Infineon Technologies	17,283 现货	1 : ¥33.41000 剪切带（CT） 800 : ¥20.15679 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	195A（Tc）	10V	12.1 毫欧 @ 62A，10V	5V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	5270 pF @ 50 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRLB3036PBF MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Infineon Technologies	15,730 现货	1 : ¥33.99000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	195A（Tc）	4.5V，10V	2.4 毫欧 @ 165A，10V	2.5V @ 250µA	140 nC @ 4.5 V	±16V	11210 pF @ 50 V	-	380W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRFB3006PBF MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Infineon Technologies	3,690 现货	1 : ¥33.99000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	195A（Tc）	10V	2.5 毫欧 @ 170A，10V	4V @ 250µA	300 nC @ 10 V	±20V	8970 pF @ 50 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRFS3107TRLPBF MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Infineon Technologies	3,022 现货	1 : ¥39.24000 剪切带（CT） 800 : ¥23.68324 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	75 V	195A（Tc）	10V	3 毫欧 @ 140A，10V	4V @ 250µA	240 nC @ 10 V	±20V	9370 pF @ 50 V	-	370W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRFB7437PBF MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Infineon Technologies	2,397 现货	1 : ¥10.10000 管件	HEXFET®, StrongIRFET™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	195A（Tc）	6V，10V	2 毫欧 @ 100A，10V	3.9V @ 150µA	225 nC @ 10 V	±20V	7330 pF @ 25 V	-	230W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRFB7534PBF MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Infineon Technologies	9,331 现货	1 : ¥14.12000 管件	HEXFET®, StrongIRFET™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	195A（Tc）	6V，10V	2.4 毫欧 @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	279 nC @ 10 V	±20V	10034 pF @ 25 V	-	294W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRFB7434PBF MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Infineon Technologies	544 现货	1 : ¥14.61000 管件	HEXFET®, StrongIRFET™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	195A（Tc）	6V，10V	1.6 毫欧 @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 nC @ 10 V	±20V	10820 pF @ 25 V	-	294W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRFSL7437PBF MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Infineon Technologies	2,740 现货	1 : ¥17.16000 管件	HEXFET®, StrongIRFET™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	195A（Tc）	6V，10V	1.8 毫欧 @ 100A，10V	3.9V @ 150µA	225 nC @ 10 V	±20V	7330 pF @ 25 V	-	230W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-262	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IRFB7530PBF MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Infineon Technologies	9,781 现货	1 : ¥18.72000 管件	HEXFET®, StrongIRFET™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	195A（Tc）	6V，10V	2 毫欧 @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	411 nC @ 10 V	±20V	13703 pF @ 25 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF1324PBF MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB Infineon Technologies	4,671 现货	1 : ¥21.76000 管件	HEXFET®	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	24 V	195A（Tc）	10V	1.5 毫欧 @ 195A，10V	4V @ 250µA	240 nC @ 10 V	±20V	7590 pF @ 24 V	-	300W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRFS7434TRLPBF MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Infineon Technologies	3,786 现货	1 : ¥24.14000 剪切带（CT） 800 : ¥13.49980 卷带（TR）	HEXFET®, StrongIRFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	195A（Tc）	6V，10V	1.6 毫欧 @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 nC @ 10 V	±20V	10820 pF @ 25 V	-	294W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRFB7430PBF MOSFET N CH 40V 195A TO220 Infineon Technologies	1,116 现货	1 : ¥25.37000 管件	HEXFET®, StrongIRFET™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	195A（Tc）	6V，10V	1.3 毫欧 @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	460 nC @ 10 V	±20V	14240 pF @ 25 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRLS3034TRLPBF MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Infineon Technologies	3,182 现货	1 : ¥25.78000 剪切带（CT） 800 : ¥15.58758 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	195A（Tc）	4.5V，10V	1.7 毫欧 @ 195A，10V	2.5V @ 250µA	162 nC @ 4.5 V	±20V	10315 pF @ 25 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRFB7730PBF MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB Infineon Technologies	5,834 现货	1 : ¥26.68000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	75 V	195A（Tc）	6V，10V	2.6 毫欧 @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	407 nC @ 10 V	±20V	13660 pF @ 25 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRFS7530TRLPBF MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Infineon Technologies	8,519 现货	1 : ¥26.93000 剪切带（CT） 800 : ¥16.26418 卷带（TR）	HEXFET®, StrongIRFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	195A（Tc）	6V，10V	2 毫欧 @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	411 nC @ 10 V	±20V	13703 pF @ 25 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-2	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRFS7430TRLPBF MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Infineon Technologies	1,293 现货	1 : ¥27.67000 剪切带（CT） 800 : ¥16.71530 卷带（TR）	HEXFET®, StrongIRFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	195A（Tc）	6V，10V	1.2 毫欧 @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	460 nC @ 10 V	±20V	14240 pF @ 25 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRFP7530PBF MOSFET N-CH 60V 195A TO247 Infineon Technologies	145 现货	1 : ¥28.49000 管件	HEXFET®, StrongIRFET™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	195A（Tc）	6V，10V	2 毫欧 @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	411 nC @ 10 V	±20V	13703 pF @ 25 V	-	341W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247	TO-247-3
IRLS3036TRLPBF MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Infineon Technologies	2,007 现货	1 : ¥30.05000 剪切带（CT） 800 : ¥18.12556 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	195A（Tc）	4.5V，10V	2.4 毫欧 @ 165A，10V	2.5V @ 250µA	140 nC @ 4.5 V	±16V	11210 pF @ 50 V	-	380W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRLB3034PBF MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Infineon Technologies	875 现货	1 : ¥30.05000 管件	HEXFET®	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	195A（Tc）	4.5V，10V	1.7 毫欧 @ 195A，10V	2.5V @ 250µA	162 nC @ 4.5 V	±20V	10315 pF @ 25 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRFP7430PBF MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC Infineon Technologies	1,106 现货	1 : ¥31.61000 管件	HEXFET®, StrongIRFET™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	195A（Tc）	6V，10V	1.3 毫欧 @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	460 nC @ 10 V	±20V	14240 pF @ 25 V	-	366W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
IRFP3006PBF MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC Infineon Technologies	1,002 现货	1 : ¥35.14000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	195A（Tc）	10V	2.5 毫欧 @ 170A，10V	4V @ 250µA	300 nC @ 10 V	±20V	8970 pF @ 50 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
IRFS3006TRLPBF MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Infineon Technologies	2,147 现货	1 : ¥35.80000 剪切带（CT） 800 : ¥21.60953 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	195A（Tc）	10V	2.5 毫欧 @ 170A，10V	4V @ 250µA	300 nC @ 10 V	±20V	8970 pF @ 50 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRFS7437TRL7PP MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Infineon Technologies	1,627 现货	1 : ¥20.44000 剪切带（CT） 800 : ¥11.42291 卷带（TR）	HEXFET®, StrongIRFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	195A（Tc）	6V，10V	1.4 毫欧 @ 100A，10V	3.9V @ 150µA	225 nC @ 10 V	±20V	7437 pF @ 25 V	-	231W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK（7-Lead）	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IRFS7534TRLPBF MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Infineon Technologies	1,843 现货	1 : ¥25.37000 剪切带（CT） 800 : ¥15.30629 卷带（TR）	HEXFET®, StrongIRFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	195A（Tc）	6V，10V	2.4 毫欧 @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	279 nC @ 10 V	±20V	10034 pF @ 25 V	-	294W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7	TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）