18A（Ta）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRF8736TRPBF MOSFET N-CH 30V 18A 8SO Infineon Technologies	15,477 现货	1 : ¥5.83000 剪切带（CT） 4,000 : ¥2.22719 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	18A（Ta）	4.5V，10V	4.8 毫欧 @ 18A，10V	2.35V @ 50µA	26 nC @ 4.5 V	±20V	2315 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TPH3300CNH,L1Q MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	13,215 现货	1 : ¥9.69000 剪切带（CT） 5,000 : ¥3.81743 卷带（TR）	U-MOSVIII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	18A（Ta）	10V	33 毫欧 @ 9A，10V	4V @ 300µA	10.6 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 75 V	-	1.6W（Ta），57W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOP Advance（5x5）	8-PowerVDFN
FDS8638 MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC onsemi	7,957 现货	1 : ¥12.97000 剪切带（CT） 2,500 : ¥5.83911 卷带（TR）	PowerTrench®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	18A（Ta）	4.5V，10V	4.3 毫欧 @ 18A，10V	3V @ 250µA	86 nC @ 10 V	±20V	5680 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7842TRPBF MOSFET N-CH 40V 18A 8SO Infineon Technologies	28,213 现货	1 : ¥14.20000 剪切带（CT） 4,000 : ¥6.40705 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	18A（Ta）	4.5V，10V	5 毫欧 @ 17A，10V	2.25V @ 250µA	50 nC @ 4.5 V	±20V	4500 pF @ 20 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
EPC2212 GANFET N-CH 100V 18A DIE EPC	153,710 现货	1 : ¥16.34000 剪切带（CT） 2,500 : ¥10.87738 卷带（TR）	eGaN®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不适用于新设计	N 通道	GaNFET（氮化镓）	100 V	18A（Ta）	5V	13.5 毫欧 @ 11A，5V	2.5V @ 3mA	4 nC @ 5 V	+6V，-4V	407 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	模具	模具
EPC2016C GANFET N-CH 100V 18A DIE EPC	102,823 现货	1 : ¥21.26000 剪切带（CT） 2,500 : ¥9.59404 卷带（TR）	eGaN®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不适用于新设计	N 通道	GaNFET（氮化镓）	100 V	18A（Ta）	5V	16 毫欧 @ 11A，5V	2.5V @ 3mA	4.5 nC @ 5 V	+6V，-4V	420 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	模具	模具
FDS86540 MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC onsemi	4,084 现货 15,000 工厂	1 : ¥26.11000 剪切带（CT） 2,500 : ¥12.70360 卷带（TR）	PowerTrench®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	18A（Ta）	8V，10V	4.5 毫欧 @ 18A，10V	4V @ 250µA	90 nC @ 10 V	±20V	6410 pF @ 30 V	-	2.5W（Ta），5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FDS8870 MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC onsemi	2,621 现货	1 : ¥13.96000 剪切带（CT） 2,500 : ¥6.28905 卷带（TR）	PowerTrench®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	18A（Ta）	4.5V，10V	4.2 毫欧 @ 18A，10V	2.5V @ 250µA	112 nC @ 10 V	±20V	4615 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
RS3E180ATTB1 MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP Rohm Semiconductor	5,619 现货	1 : ¥21.67000 剪切带（CT） 2,500 : ¥9.77047 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	18A（Ta）	4.5V，10V	5.4mOhm @ 18A，10V	2.5V @ 5mA	160 nC @ 10 V	±20V	7200 pF @ 15 V	-	1.4W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOP	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
EPC2202 GANFET N-CH 80V 18A DIE EPC	57,855 现货	1 : ¥22.66000 剪切带（CT） 2,500 : ¥11.01684 卷带（TR）	eGaN®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不适用于新设计	N 通道	GaNFET（氮化镓）	80 V	18A（Ta）	5V	17 毫欧 @ 11A，5V	2.5V @ 3mA	4 nC @ 5 V	+5.75V，-4V	415 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	模具	模具
AO4430 MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	8,894 现货	1 : ¥7.63000 剪切带（CT） 3,000 : ¥3.16900 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	18A（Ta）	4.5V，10V	5.5 毫欧 @ 18A，10V	2.5V @ 250µA	124 nC @ 10 V	±20V	7270 pF @ 15 V	-	3W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
NTD18N06LT4G MOSFET N-CH 60V 18A DPAK onsemi	12,344 现货	1 : ¥9.36000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.86844 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	18A（Ta）	5V	65 毫欧 @ 9A，5V	2V @ 250µA	22 nC @ 5 V	±15V	675 pF @ 25 V	-	2.1W（Ta），55W（Tj）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TK170V65Z,LQ MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN Toshiba Semiconductor and Storage	4,950 现货	1 : ¥28.14000 剪切带（CT） 2,500 : ¥13.69930 卷带（TR）	DTMOSVI	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	18A（Ta）	10V	170 毫欧 @ 9A，10V	4V @ 730µA	29 nC @ 10 V	±30V	1635 pF @ 300 V	-	150W（Tc）	150°C	-	-	表面贴装型	4-DFN-EP（8x8）	4-VSFN 裸露焊盘
IRF8736PBF MOSFET N-CH 30V 18A 8SO Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	管件	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	18A（Ta）	4.5V，10V	4.8 毫欧 @ 18A，10V	2.35V @ 50µA	26 nC @ 4.5 V	±20V	2315 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
NTD18N06-1G MOSFET N-CH 60V 18A IPAK onsemi	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	18A（Ta）	10V	60 毫欧 @ 9A，10V	4V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±20V	710 pF @ 25 V	-	2.1W（Ta），55W（Tj）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	IPAK	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
AO4410 SOP-8 MOSFETS ROHS UMW	2,951 现货	1 : ¥5.34000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.06068 卷带（TR）	UMW	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	18A（Ta）	4.5V，10V	5.5 毫欧 @ 18A，10V	1.5V @ 250µA	85 nC @ 10 V	±12V	10500 pF @ 15 V	-	3.1W（Ta）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOP	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FDS8672S MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC onsemi	2,263 现货	1 : ¥15.76000 剪切带（CT）	PowerTrench®, SyncFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	18A（Ta）	4.5V，10V	4.8 毫欧 @ 18A，10V	3V @ 1mA	41 nC @ 10 V	±20V	2670 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TK155U65Z,RQ DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ Toshiba Semiconductor and Storage	200 现货	1 : ¥26.84000 剪切带（CT） 2,000 : ¥12.67185 卷带（TR）	DTMOSVI	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	18A（Ta）	10V	155 毫欧 @ 9A，10V	4V @ 730µA	29 nC @ 10 V	±30V	1635 pF @ 300 V	-	150W（Tc）	150°C	-	-	表面贴装型	TOLL	8-PowerSFN
TK18A30D,S5X PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- Toshiba Semiconductor and Storage	28 现货	1 : ¥13.74000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	300 V	18A（Ta）	10V	139 毫欧 @ 9A，10V	3.5V @ 1mA	60 nC @ 10 V	±20V	2600 pF @ 100 V	-	45W（Tc）	150°C	-	-	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
TK155E65Z,S1X 650V DTMOS VI TO-220 155MOHM Toshiba Semiconductor and Storage	44 现货	1 : ¥24.94000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	18A（Ta）	10V	155 毫欧 @ 9A，10V	4V @ 730µA	29 nC @ 10 V	±30V	1635 pF @ 300 V	-	150W（Tc）	150°C	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
GKI03039 MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN Sanken Electric USA Inc.	50 现货	1 : ¥12.48000 剪切带（CT）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	18A（Ta）	4.5V，10V	3.8 毫欧 @ 47.2A，10V	2.5V @ 650µA	38.8 nC @ 10 V	±20V	2460 pF @ 15 V	-	3.1W（Ta），59W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-DFN（5x6）	8-PowerTDFN
TK155A65Z,S4X MOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货查看交期	1 : ¥24.09000 管件	DTMOSVI	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	18A（Ta）	10V	155 毫欧 @ 9A，10V	4V @ 730µA	29 nC @ 10 V	±30V	1635 pF @ 300 V	-	40W（Tc）	150°C	-	-	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
TK18A50D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	14 现货	1 : ¥26.95000 管件	π-MOSVII	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	18A（Ta）	10V	270 毫欧 @ 9A，10V	4V @ 1mA	45 nC @ 10 V	±30V	2600 pF @ 25 V	-	50W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
PJQ5474A_R2_00001 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Panjit International Inc.	0 现货查看交期	3,000 : ¥2.48831 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	18A（Ta）	4.5V，10V	50 毫欧 @ 18A，10V	2.5V @ 250µA	61 nC @ 10 V	±20V	3555 pF @ 15 V	-	52W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DFN5060-8	8-PowerVDFN
PJL9418_R2_00001 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Panjit International Inc.	0 现货查看交期	2,500 : ¥3.30029 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	18A（Ta）	4.5V，10V	2.4 毫欧 @ 18A，10V	2.5V @ 250µA	35 nC @ 4.5 V	±20V	4305 pF @ 25 V	-	1.7W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOP	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）