17A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 265
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiQorvoRenesas Electronics Corporation
系列
-C3M™CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ G7CoolMOS™ P7CoolSiC™CoolSIC™ M1DeepGATE™, STripFET™ VIFDmesh™ IIHEXFET®HiPerFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V55 V60 V100 V150 V200 V250 V500 V550 V600 V650 V750 V800 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4V,5V4.5V,10V5V5V,10V6V6V,10V8V10V10V,12V10V,15V12V15V15V,20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.2 毫欧 @ 44A,10V4.5 毫欧 @ 8.5A,10V5.5 毫欧 @ 8.5A,10V5.7 毫欧 @ 8.5A,10V8.5 毫欧 @ 10A,10V9.5 毫欧 @ 10A,10V11.4 毫欧 @ 8.5A,10V12.6 毫欧 @ 10A,10V15.5 毫欧 @ 17A,10V16 毫欧 @ 8.5A,10V27.4 毫欧 @ 10A,10V32 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 17.2mA2.5V @ 1mA2.5V @ 200µA2.5V @ 250µA2.6V @ 500µA3V @ 250µA3.5V @ 360µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.4 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 6 V6 nC @ 5 V6.5 nC @ 5 V7.8 nC @ 10 V9 nC @ 10 V9.3 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V10 nC @ 18 V11.9 nC @ 10 V12 nC @ 18 V12.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
+7V,-1.4V±10V+15V,-4V±16V±18V+20V,-25V+20V,-5V±20V+22V,-4V+23V,-5V+25V,-15V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
125 pF @ 400 V293 pF @ 25 V320 pF @ 25 V320 pF @ 400 V350 pF @ 800 V351 pF @ 500 V370 pF @ 25 V398 pF @ 800 V400 pF @ 25 V480 pF @ 25 V494 pF @ 25 V500 pF @ 25 V
FET 功能
-电流检测
功率耗散(最大值)
700mW(Ta),30W(Tc)700mW(Ta),42W(Tc)1.3W(Ta)1.5W(Ta)1.6W(Ta),34W(Tc)2W(Ta),50W(Tc)2.5W(Ta),4.4W(Tc)2.5W(Ta),5W(Tc)2.7W(Tc)3W(Ta),125W(Tc)3W(Ta),136W(Tc)3W(Ta),140W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
3-PQFN(8x8)4-PQFN(8x8)8-HWSON(3.3x3.3)8-PQFN(5x6)8-SOIC8-SOP Advance(5x5)8-TSON Advance(3.1x3.1)D2PAKD2PAK-7D3PAKDFN5060-5DFN8080-8
封装/外壳
3-PowerDFN4-PowerDFN4-PowerTSFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-VDFN 裸露焊盘22-PowerBSOP 模块SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
265结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 265
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRFR024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Infineon Technologies
163,606
现货
1 : ¥5.04000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.38408
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V17A(Tc)10V75 毫欧 @ 10A,10V4V @ 250µA20 nC @ 10 V±20V370 pF @ 25 V-45W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-252AA (DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN069-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
25,329
现货
1 : ¥5.28000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.23739
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V17A(Tc)10V72.4 毫欧 @ 5A,10V4V @ 1mA14 nC @ 10 V±20V645 pF @ 50 V-56W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型LFPAK56,Power-SO8SC-100,SOT-669
33,918
现货
1 : ¥6.26000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.38698
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V17A(Tc)4.5V,10V11.4 毫欧 @ 8.5A,10V2.5V @ 200µA23 nC @ 10 V±20V2000 pF @ 30 V-1.6W(Ta),34W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型8-SOP Advance(5x5)8-PowerVDFN
TO252-3
IRLR024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Infineon Technologies
66,884
现货
1 : ¥7.40000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.80236
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V17A(Tc)4V,10V65 毫欧 @ 10A,10V2V @ 250µA15 nC @ 5 V±16V480 pF @ 25 V-45W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-252AA (DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB PKG
IRF530NPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Infineon Technologies
45,630
现货
1 : ¥7.40000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V17A(Tc)10V90 毫欧 @ 9A,10V4V @ 250µA37 nC @ 10 V±20V920 pF @ 25 V-70W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
TO252-3
IRLR3410TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Infineon Technologies
50,146
现货
1 : ¥8.62000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.57206
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V17A(Tc)4V,10V105 毫欧 @ 10A,10V2V @ 250µA34 nC @ 5 V±16V800 pF @ 25 V-79W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-252AA (DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRLR3410TRPBF
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Infineon Technologies
43,555
现货
1 : ¥8.62000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.57790
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V17A(Tc)4V,10V105 毫欧 @ 10A,10V2V @ 250µA34 nC @ 5 V±16V800 pF @ 25 V-79W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-252AA (DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Infineon Technologies
5,806
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
800 : ¥5.57148
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V17A(Tc)10V90 毫欧 @ 9A,10V4V @ 250µA37 nC @ 10 V±20V920 pF @ 25 V-3.8W(Ta),70W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Infineon Technologies
5,704
现货
1 : ¥11.63000
剪切带(CT)
800 : ¥6.26293
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V17A(Tc)4V,10V100 毫欧 @ 9A,10V2V @ 250µA34 nC @ 5 V±20V800 pF @ 25 V-3.8W(Ta),79W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
MFG_DPAK(TO252-3)
STD17NF25
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
STMicroelectronics
16,453
现货
1 : ¥12.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.26674
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)250 V17A(Tc)10V165 毫欧 @ 8.5A,10V4V @ 250µA29.5 nC @ 10 V±20V1000 pF @ 25 V-90W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD18NF25
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
STMicroelectronics
4,952
现货
1 : ¥17.32000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.79418
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)250 V17A(Tc)10V165 毫欧 @ 8.5A,10V4V @ 250µA29.5 nC @ 10 V±20V1000 pF @ 25 V-110W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IRL640STRLPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Vishay Siliconix
5,476
现货
1 : ¥17.97000
剪切带(CT)
800 : ¥10.04208
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V17A(Tc)4V,5V180 毫欧 @ 10A,5V2V @ 250µA66 nC @ 5 V±10V1800 pF @ 25 V-3.1W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO252-3
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Infineon Technologies
8,537
现货
1 : ¥23.09000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.24802
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)800 V17A(Tc)10V280 毫欧 @ 7.2A,10V3.5V @ 360µA36 nC @ 10 V±20V1200 pF @ 500 V-101W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TO252-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
SPP17N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Infineon Technologies
930
现货
1 : ¥36.58000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)800 V17A(Tc)10V290 毫欧 @ 11A,10V3.9V @ 1mA177 nC @ 10 V±20V2320 pF @ 25 V-208W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔PG-TO220-3-1TO-220-3
TO-247N
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
2,054
现货
1 : ¥82.03000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)1200 V17A(Tc)18V208 毫欧 @ 5A,18V5.6V @ 2.5mA42 nC @ 18 V+22V,-4V398 pF @ 800 V-103W(Tc)175°C(TJ)--通孔TO-247NTO-247-3
C3M0065090J
C3M0160120J
SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Wolfspeed, Inc.
3,251
现货
1 : ¥90.32000
管件
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)1200 V17A(Tc)15V208 毫欧 @ 8.5A,15V3.6V @ 2.33mA24 nC @ 15 V+15V,-4V632 pF @ 1000 V-90W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263-7TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-252-2
DMN10H099SK3-13
MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Diodes Incorporated
2,549
现货
37,500
工厂
1 : ¥5.04000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.91659
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V17A(Tc)6V,10V80 毫欧 @ 3.3A,10V3V @ 250µA25.2 nC @ 10 V±20V1172 pF @ 50 V-34W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD17NF03LT4
MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
STMicroelectronics
4,309
现货
1 : ¥6.26000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.37645
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V17A(Tc)5V,10V50 毫欧 @ 8.5A,10V2.2V @ 250µA6.5 nC @ 5 V±16V320 pF @ 25 V-30W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD14N06S280ATMA2
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Infineon Technologies
1,644
现货
1 : ¥6.83000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.58591
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V17A(Tc)10V80 毫欧 @ 7A,10V4V @ 14µA10 nC @ 10 V±20V293 pF @ 25 V-47W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型PG-TO252-3-11TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8,890
现货
1 : ¥6.91000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.71132
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V17A(Tc)10V16 毫欧 @ 8.5A,10V4V @ 200µA19 nC @ 10 V±20V1600 pF @ 50 V-700mW(Ta),42W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型8-TSON Advance(3.1x3.1)8-PowerVDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD18NF03L
MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
STMicroelectronics
7,167
现货
1 : ¥6.99000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.89731
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V17A(Tc)5V,10V50 毫欧 @ 8.5A,10V2.2V @ 250µA6.5 nC @ 5 V±16V320 pF @ 25 V-30W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
SI4174DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Vishay Siliconix
14,384
现货
1 : ¥7.07000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.69120
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V17A(Tc)4.5V,10V9.5 毫欧 @ 10A,10V2.2V @ 250µA27 nC @ 10 V±20V985 pF @ 15 V-2.5W(Ta),5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6,823
现货
1 : ¥7.32000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.78480
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V17A(Tc)4.5V,10V11.4 毫欧 @ 8.5A,10V2.5V @ 200µA23 nC @ 10 V±20V2000 pF @ 30 V-700mW(Ta),30W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型8-TSON Advance(3.1x3.1)8-PowerVDFN
IPAK (TO-251)
IRLU3410PBF
MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Infineon Technologies
4,995
现货
1 : ¥8.62000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V17A(Tc)4V,10V105 毫欧 @ 10A,10V2V @ 250µA34 nC @ 5 V±16V800 pF @ 25 V-79W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔IPAK(TO-251AA)TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
4,195
现货
1 : ¥9.51000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V17A(Tc)10V75 毫欧 @ 10A,10V4V @ 250µA20 nC @ 10 V±20V370 pF @ 25 V-45W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔IPAK(TO-251AA)TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
显示
/ 265

17A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。