171A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRFP4568PBF MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC Infineon Technologies	1,379 现货	1 : ¥65.10000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	171A（Tc）	10V	5.9 毫欧 @ 103A，10V	5V @ 250µA	227 nC @ 10 V	±30V	10470 pF @ 50 V	-	517W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
AUIRFP4568 MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC Infineon Technologies	406 现货	1 : ¥76.68000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	171A（Tc）	10V	5.9 毫欧 @ 103A，10V	5V @ 250µA	227 nC @ 10 V	±30V	10470 pF @ 50 V	-	517W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
IRFP4568PBFXKMA1 TRENCH >=100V PG-TO247-3 Infineon Technologies	177 现货	1 : ¥63.79000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	171A（Tc）	10V	5.9 毫欧 @ 103A，10V	5V @ 250µA	227 nC @ 10 V	±30V	10470 pF @ 50 V	-	517W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
AUIRFP4568-E MOSFET N-CH 150V 171A TO247AD Infineon Technologies	365 现货	1 : ¥90.31000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	171A（Tc）	10V	5.9 毫欧 @ 103A，10V	5V @ 250µA	227 nC @ 10 V	±30V	10470 pF @ 50 V	-	517W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AD	TO-247-3
IRLB8314PBF MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3 Infineon Technologies	420 现货	1 : ¥8.21000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	171A（Tc）	4.5V，10V	2.4 毫欧 @ 68A，10V	2.2V @ 100µA	60 nC @ 4.5 V	±20V	5050 pF @ 15 V	-	125W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
BSC030N10NS5SCATMA1 TRENCH >=100V Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥32.68000 剪切带（CT） 4,000 : ¥15.88880 卷带（TR）	OptiMOS™ 5	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	171A（Tc）	6V，10V	3 毫欧 @ 50A，10V	3.8V @ 115µA	88 nC @ 10 V	±20V	6500 pF @ 50 V	-	188W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-WSON-8-2	8-PowerWDFN
IMW65R007M2HXKSA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥352.70000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiC（碳化硅结晶体管）	650 V	171A（Tc）	15V，20V	6.1 毫欧 @ 146.3A，20V	5.6V @ 29.7mA	179 nC @ 18 V	+23V，-7V	6359 pF @ 400 V	-	625W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3-U06	TO-247-3
APTM120UM70DAG MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 Microchip Technology	0 现货查看交期	3 : ¥3,570.33667 散装	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	1200 V	171A（Tc）	10V	80 毫欧 @ 85.5A，10V	5V @ 30mA	1650 nC @ 10 V	±30V	43500 pF @ 25 V	-	5000W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	底座安装	SP6	SP6
APTM120UM70FAG MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 Microchip Technology	0 现货查看交期	3 : ¥4,187.47333 散装	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	1200 V	171A（Tc）	10V	80 毫欧 @ 85.5A，10V	5V @ 30mA	1650 nC @ 10 V	±30V	43500 pF @ 25 V	-	5000W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	底座安装	SP6	SP6