13A（Ta），71A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
-HEXFET®OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
75 V100 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.8 毫欧 @ 50A，10V9.6 毫欧 @ 43A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 40µA4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
33 nC @ 10 V59 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2200 pF @ 50 V2474 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），74W（Tc）3.6W（Ta），105W（Tc）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）PG-TDSON-8-46
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
ISC0805NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Infineon Technologies
6,411
现货
1 : ¥15.60000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.77155
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13A（Ta），71A（Tc）
4.5V，10V
7.8 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 40µA
33 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-46
8-PowerTDFN
8PQFN
IRFH5207TR2PBF
MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
-
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
13A（Ta），71A（Tc）
-
9.6 毫欧 @ 43A，10V
4V @ 100µA
59 nC @ 10 V
-
2474 pF @ 25 V
-
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerVDFN
8PQFN
IRFH5207TRPBF
MOSFET N-CH 75V 13A/71A 8PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
13A（Ta），71A（Tc）
10V
9.6 毫欧 @ 43A，10V
4V @ 100µA
59 nC @ 10 V
±20V
2474 pF @ 25 V
-
3.6W（Ta），105W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerVDFN
显示
/ 3

13A（Ta），71A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。