131A（Tc）单 FET，MOSFET

显示

/ 9

制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRF1405STRLPBF MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK Infineon Technologies	2,685 现货	1 : ¥21.51000 剪切带（CT） 800 : ¥12.00905 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	131A（Tc）	10V	5.3 毫欧 @ 101A，10V	4V @ 250µA	260 nC @ 10 V	±20V	5480 pF @ 25 V	-	200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
MSC015SMA070B SICFET N-CH 700V 131A TO247-3 Microchip Technology	403 现货	1 : ¥293.57000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	700 V	131A（Tc）	20V	19 毫欧 @ 40A，20V	2.4V @ 1mA	215 nC @ 20 V	+25V，-10V	4500 pF @ 700 V	-	400W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247-3	TO-247-3
SUM70060E-GE3 MOSFET N-CH 100V 131A TO263 Vishay Siliconix	0 现货查看交期	1 : ¥16.42000 剪切带（CT） 800 : ¥9.17990 卷带（TR）	ThunderFET®	卷带（TR）剪切带（CT）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	131A（Tc）	7.5V，10V	5.6 毫欧 @ 30A，10V	4V @ 250µA	81 nC @ 10 V	±20V	3330 pF @ 50 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SUP70060E-GE3 MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB Vishay Siliconix	0 现货查看交期	1 : ¥16.42000 散装	ThunderFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	131A（Tc）	7.5V，10V	5.8 毫欧 @ 30A，10V	4V @ 250µA	81 nC @ 10 V	±20V	3330 pF @ 50 V	-	200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF1405LPBF MOSFET N-CH 55V 131A TO262 Infineon Technologies	0 现货	250 : ¥17.83072 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	131A（Tc）	10V	5.3 毫欧 @ 101A，10V	4V @ 250µA	260 nC @ 10 V	±20V	5480 pF @ 25 V	-	200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-262	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IRF1405STRR MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	800 : ¥28.03174 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	131A（Tc）	10V	5.3 毫欧 @ 101A，10V	4V @ 250µA	260 nC @ 10 V	±20V	5480 pF @ 25 V	-	200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF1405S MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	50 : ¥36.79100 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	131A（Tc）	10V	5.3 毫欧 @ 101A，10V	4V @ 250µA	260 nC @ 10 V	±20V	5480 pF @ 25 V	-	200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF1405SPBF MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	管件	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	131A（Tc）	10V	5.3 毫欧 @ 101A，10V	4V @ 250µA	260 nC @ 10 V	±20V	5480 pF @ 25 V	-	200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF1405STRRPBF MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	131A（Tc）	10V	5.3 毫欧 @ 101A，10V	4V @ 250µA	260 nC @ 10 V	±20V	5480 pF @ 25 V	-	200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB