120A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 521
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.QorvoRohm Semiconductor
系列
-AlphaSGT™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7C3M™DeepGATE™, STripFET™DeepGATE™, STripFET™ VIHEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Polar3™HiPerFET™, PolarHV™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V24 V30 V33 V40 V45 V55 V60 V65 V75 V80 V85 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V5V5V,10V6V,10V6.5V,10V7V,10V7.5V,10V8V,10V10V12V15V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.8 毫欧 @ 60A,10V0.9 毫欧 @ 60A,10V1 毫欧@ 25A,10V1.1 毫欧 @ 24A,10V1.1 毫欧 @ 25A,10V1.1 毫欧 @ 60A,10V1.1 毫欧 @ 90A,10V1.21 毫欧 @ 60A,10V1.3 毫欧 @ 25A,10V1.3 毫欧 @ 40A,10V1.34 毫欧 @ 60A,10V1.34 毫欧 @ 90A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)1V @ 250µA(最小)1.2V @ 250µA2V @ 200µA2V @ 250µA2V @ 60µA2V @ 90µA2.05V @ 1mA2.1V @ 1mA2.15V @ 1mA2.2V @ 110µA2.2V @ 196µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13.7 nC @ 4.5 V19 nC @ 10 V29 nC @ 2.5 V29 nC @ 10 V31 nC @ 4.5 V33 nC @ 4.5 V38 nC @ 10 V41 nC @ 10 V42 nC @ 4.5 V42 nC @ 10 V43 nC @ 10 V44 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+5V,-16V±8V±10V+15V,-4V±15V+16V,-10V±16V±18V+20V,-10V+20V,-16V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
380 pF @ 75 V460 pF @ 50 V2110 pF @ 25 V2144 pF @ 20 V2300 pF @ 25 V2830 pF @ 10 V2840 pF @ 20 V3000 pF @ 25 V3183 pF @ 25 V3220 pF @ 20 V3240 pF @ 25 V3245 pF @ 20 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
300mW(Tc)960mW(Ta),132W(Tc)3W(Ta),104W(Tc)3W(Ta),138W(Tc)3W(Ta),210W(Tc)3W(Ta),214W(Tc)4W(Ta),75W(Tc)4.8W(Ta),140W(Tc)4.8W(Ta),187W(Tc)79W(Tc)80W(Tc)83W(Tj)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN(4.9x5.75)8-HSOP8-PPAK(5.1x5.71)8-SOP Advance(5x5.75)8-SOP Advance(5x5)-D2PAKD2PAK(7-Lead)DFN5060H2PAK-2I2PAKIPAK
封装/外壳
5-PowerSFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN-ISOPLUS220™SC-100,SOT-669SOT-1023,4-LFPAKSOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-220-3(SMT)标片
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
521结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 521
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
TPH3R10AQM,LQ
100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Toshiba Semiconductor and Storage
2,755
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.60237
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
6V,10V
3.1 毫欧 @ 50A,10V
3.5V @ 500µA
83 nC @ 10 V
±20V
7400 pF @ 50 V
-
210W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5.75)
8-PowerTDFN
14,104
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.74202
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
7V,10V
1.34 毫欧 @ 60A,10V
3V @ 60µA
68 nC @ 10 V
±20V
4260 pF @ 25 V
-
115W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS3306TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Infineon Technologies
6,046
现货
1 : ¥22.50000
剪切带(CT)
800 : ¥12.59949
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tc)
10V
4.2 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 150µA
120 nC @ 10 V
±20V
4520 pF @ 50 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB PKG
IRFB3207ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Infineon Technologies
9,626
现货
1 : ¥24.05000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
120A(Tc)
10V
4.1 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 150µA
170 nC @ 10 V
±20V
6920 pF @ 50 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS3307ZTRLPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Infineon Technologies
37,607
现货
1 : ¥25.29000
剪切带(CT)
800 : ¥15.26524
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
120A(Tc)
10V
5.8 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 150µA
110 nC @ 10 V
±20V
4750 pF @ 50 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerFlat™
STL220N6F7
MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,569
现货
1 : ¥25.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥12.62205
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tc)
10V
1.4 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
6600 pF @ 25 V
-
4.8W(Ta),187W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
TO-247-3 AC EP
IRFP3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Infineon Technologies
234
现货
1 : ¥26.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tc)
10V
4.2 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 150µA
120 nC @ 10 V
±20V
4520 pF @ 50 V
-
220W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
D2PAK SOT404
PSMNR90-30BL,118
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Nexperia USA Inc.
10,094
现货
1 : ¥27.83000
剪切带(CT)
800 : ¥16.81690
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
120A(Tc)
4.5V,10V
1 毫欧@ 25A,10V
2.2V @ 1mA
243 nC @ 10 V
±20V
14850 pF @ 15 V
-
306W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
SOT-1023
PSMN4R8-100YSEX
PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
Nexperia USA Inc.
2,179
现货
1 : ¥28.00000
剪切带(CT)
1,500 : ¥14.47921
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
10V
4.8 毫欧 @ 25A,10V
3.6V @ 1mA
120 nC @ 10 V
±20V
8290 pF @ 50 V
-
294W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SOT-1023,4-LFPAK
TO-247-3 AC EP
IRFP3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Infineon Technologies
8,858
现货
1 : ¥28.65000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tc)
10V
3 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 150µA
170 nC @ 10 V
±20V
6540 pF @ 50 V
-
280W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220AB PKG
IRFB4310ZPBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Infineon Technologies
1,793
现货
1 : ¥28.65000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
10V
6 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 150µA
170 nC @ 10 V
±20V
6860 pF @ 50 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263 (D2Pak)
SQM120P10_10M1LGE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Vishay Siliconix
6,560
现货
1 : ¥30.29000
剪切带(CT)
800 : ¥18.30074
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
4.5V,10V
10.1 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
9000 pF @ 25 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SQM120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Vishay Siliconix
1,810
现货
1 : ¥30.29000
剪切带(CT)
800 : ¥18.30074
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
10V
3.8 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
7230 pF @ 25 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120P04P404ATMA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Infineon Technologies
13,437
现货
1 : ¥30.70000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.88126
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
-
3.8 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 340µA
205 nC @ 10 V
±20V
14790 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120P04P4L03ATMA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Infineon Technologies
6,697
现货
1 : ¥30.70000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.88126
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 100A,10V
2.2V @ 340µA
234 nC @ 10 V
+5V,-16V
15000 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
FDB047N10
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
onsemi
3,664
现货
1 : ¥32.76000
剪切带(CT)
800 : ¥19.75748
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
10V
4.7 毫欧 @ 75A,10V
4.5V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
15265 pF @ 25 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB PKG
IRFB4110PBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Infineon Technologies
5,282
现货
1 : ¥35.63000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
10V
4.5 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
9620 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB3077PBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Infineon Technologies
1,561
现货
1 : ¥36.04000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
120A(Tc)
10V
3.3 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
220 nC @ 10 V
±20V
9400 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263
FDB024N08BL7
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
onsemi
1,955
现货
88,000
工厂
1 : ¥37.60000
剪切带(CT)
800 : ¥22.69220
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
120A(Tc)
10V
2.4 毫欧 @ 100A,10V
4.5V @ 250µA
178 nC @ 10 V
±20V
13530 pF @ 40 V
-
246W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN3R7-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Nexperia USA Inc.
16,087
现货
1 : ¥38.83000
剪切带(CT)
800 : ¥23.46505
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
10V
3.95 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
246 nC @ 10 V
±20V
16370 pF @ 50 V
-
405W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 AC EP
IRFP4110PBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Infineon Technologies
1,410
现货
1 : ¥38.83000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
10V
4.5 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
9620 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220-3
FDP036N10A
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
onsemi
1,567
现货
1 : ¥44.00000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
10V
3.6 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
116 nC @ 10 V
±20V
7295 pF @ 25 V
-
333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB027N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Infineon Technologies
2,327
现货
1 : ¥46.96000
剪切带(CT)
1,000 : ¥24.25813
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
6V,10V
2.7 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 184µA
139 nC @ 10 V
±20V
10300 pF @ 50 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB038N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Infineon Technologies
2,360
现货
1 : ¥50.57000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.67159
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
120A(Tc)
10V
3.8 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 270µA
211 nC @ 10 V
±20V
13800 pF @ 60 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB017N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Infineon Technologies
2,302
现货
1 : ¥50.90000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.87873
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
120A(Tc)
6V,10V
1.7 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 280µA
223 nC @ 10 V
±20V
16900 pF @ 40 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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120A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。