11A（Ta），87A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
供应商器件封装
PG-HSOF-8-1PG-TO263-7-3
封装/外壳
8-PowerSFNTO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
1,000
现货
1 : ¥51.88000
剪切带（CT）
1,000 : ¥29.42755
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
11A（Ta），87A（Tc）
10V，15V
12 毫欧 @ 65A，15V
4.5V @ 129µA
56 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 100 V
-
3.8W（Ta），234W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
1,965
现货
1 : ¥55.74000
剪切带（CT）
2,000 : ¥29.61268
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
11A（Ta），87A（Tc）
10V，15V
12 毫欧 @ 65A，15V
4.5V @ 129µA
56 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 100 V
-
3.8W（Ta），234W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
显示
/ 2

11A（Ta），87A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。