100mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 119
制造商
Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNuvoton Technology CorporationonsemiPanasonic Electronic ComponentsRenesas Electronics CorporationRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-*SIPMOS®U-MOSIIIπ-MOSIVπ-MOSVπ-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V50 V60 V100 V200 V250 V600 V1500 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V1.2V,4.5V1.2V,4V1.5V,4.5V1.5V,4V2.5V2.5V,10V2.5V,4V4V,10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2 欧姆 @ 100mA,4V3 欧姆 @ 10mA,4V3.2 欧姆 @ 10mA,4V3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V3.6 欧姆 @ 10mA,4V3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V4 欧姆 @ 10mA,4V7 欧姆 @ 10mA,4V7.5 欧姆 @ 50mA,10V7.8 欧姆 @ 50mA,4V8 欧姆 @ 10mA,4V8 欧姆 @ 50mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 100µA1V @ 1mA1V @ 250µA1V @ 56µA1.1V @ 100µA1.1V @ 250µA1.3V @ 100µA1.5V @ 100µA1.5V @ 1µA1.7V @ 100µA1.8V @ 1mA2V @ 1µA2.4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.45 nC @ 4.5 V0.57 nC @ 4.5 V0.66 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 10 V1.43 nC @ 10 V1.57 nC @ 10 V2.3 nC @ 5 V3.5 nC @ 5 V3.7 nC @ 10 V4.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±7V8V±8V10V±10V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6.2 pF @ 10 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7.1 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V7.8 pF @ 3 V8.5 pF @ 3 V9 pF @ 3 V9.1 pF @ 3 V9.3 pF @ 3 V11 pF @ 3 V12 pF @ 3 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
100mW(Ta)125mW(Ta)150mW(Ta)200mW(Ta)250mW(Ta)300mW(Ta)330mW(Ta)360mW(Ta)470mW(Ta)500mW(Ta)625mW(Ta)900mW(Ta)2W(Ta),20W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)125°C(TJ)150°C150°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-CP3-SPA3-SSFP5-SSOPCST3CST3CE-Line(TO-92 兼容)EMT3EMT3F(SOT-416FL)ES6ESVMCP
封装/外壳
3-SMD,无引线3-UFDFN3-XFDFN5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353E-Line-3SC-101,SOT-883SC-70,SOT-323SC-72SC-75,SOT-416SC-81SC-85SC-89,SOT-490SOT-523SOT-553
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
119结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 119
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
723,805
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.34652
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.2V,4.5V
3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
78,913
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.34634
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
3.6 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
SOT-23-3
BSS139H6327XTSA1
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Infineon Technologies
8,692
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.25357
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
100mA(Ta)
0V,10V
14 欧姆 @ 100µA,10V
1V @ 56µA
3.5 nC @ 5 V
±20V
76 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZVN3310FTA
MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3
Diodes Incorporated
6,559
现货
1,332,000
工厂
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.92353
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100mA(Ta)
10V
10 欧姆 @ 500mA,10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
330mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
SSM3K16FV,L3F
PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
7,269
现货
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.26388
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.5V,4V
3 欧姆 @ 10mA,4V
1.1V @ 100µA
-
±10V
9.3 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
50,705
现货
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.28037
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
-
8 欧姆 @ 50mA,4V
-
-
-
12.2 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
50,241
现货
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.30227
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
3.6 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
USM
SC-70,SOT-323
38,285
现货
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.28037
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
12 欧姆 @ 10mA,4V
1.7V @ 100µA
-
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
31,470
现货
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.30227
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
4 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
7.8 pF @ 3 V
-
200mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
S-Mini
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
25,150
现货
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.30227
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
12 欧姆 @ 10mA,4V
1.7V @ 100µA
-
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
200mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
S-Mini
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
62,975
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32003
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
12 欧姆 @ 10mA,4V
1.7V @ 100µA
-
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
USM
SC-70,SOT-323
17,744
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32003
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
12 欧姆 @ 10mA,4V
1.7V @ 100µA
-
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
100mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75,SOT-416
VMT3 Pkg
RZM001P02T2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
244,919
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.32296
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.2V,4.5V
3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
46,720
现货
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.35560
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
3.6 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
100mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75,SOT-416
32,565
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39115
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.5V,4V
3 欧姆 @ 10mA,4V
1.1V @ 100µA
-
±10V
9.3 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
USM
SC-70,SOT-323
EMT3F
RE1C001ZPTL
MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Rohm Semiconductor
31,768
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38480
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.2V,4.5V
3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
EMT3F(SOT-416FL)
SC-89,SOT-490
SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
SSM3J15CT,L3F
SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Toshiba Semiconductor and Storage
10,000
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.30089
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
12 欧姆 @ 10mA,4V
1.7V @ 100µA
-
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
100mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
CST3
SC-101,SOT-883
26,940
现货
1 : ¥2.46000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.31457
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
3.6 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
500mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
CST3C
SC-101,SOT-883
31,823
现货
1 : ¥2.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.42672
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
20 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 1µA
-
±7V
7 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
USM
SC-70,SOT-323
39,933
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.34192
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
3.6 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
100mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
CST3
SC-101,SOT-883
SOT 523
2SK3019-TP
MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Micro Commercial Co
4,836
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.45811
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
4V,10V
8 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13 pF @ 5 V
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TA)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
2SA2018TL
2SK3019TL
MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Rohm Semiconductor
54,261
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52945
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
8 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13 pF @ 5 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
EMT3
SC-75,SOT-416
BSS127IXTSA1
BSS139IXTSA1
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Infineon Technologies
29,209
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82657
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
100mA(Ta)
0V,10V
14 欧姆 @ 100mA,10V
1V @ 56µA
2.3 nC @ 5 V
±20V
60 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
VML0806
RV1C001ZPT2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Rohm Semiconductor
49,860
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.49293
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.2V,4.5V
3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
100mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VML0806
3-SMD,无引线
UMT3F
RU1C001UNTCL
MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Rohm Semiconductor
31,186
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.53139
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.2V,4.5V
3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±12V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
UMT3F
SC-85
显示
/ 119

100mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。