100A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 79
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiRenesas Electronics CorporationRohm SemiconductorTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-NexFET™OptiMOS™U-MOSIX-HU-MOSVIU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25 V30 V40 V60 V75 V80 V100 V150 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4V,10V4.5V,10V5V6V,10V10V10V,15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.59 毫欧 @ 50A,10V0.69 毫欧 @ 50A,10V1 毫欧 @ 35A,10V1.15 毫欧 @ 40A,10V1.2 毫欧 @ 32A,10V1.4 毫欧 @ 40A,10V1.6 毫欧 @ 40A,10V1.8 毫欧 @ 25A,10V1.95 毫欧 @ 50A,10V2 毫欧 @ 25A,10V2.2 毫欧 @ 28A,10V2.3 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.65V @ 250µA1.7V @ 250µA1.8V @ 250µA1.9V @ 250µA2.1V @ 12mA2.1V @ 1mA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 500µA3V @ 250µA3.2V @ 250µA3.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20 nC @ 10 V20 nC @ 5 V22.2 nC @ 10 V29 nC @ 4.5 V32 nC @ 4.5 V33 nC @ 4.5 V35 nC @ 10 V36 nC @ 10 V38 nC @ 10 V39 nC @ 4.5 V43 nC @ 10 V47.4 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V+10V,-20V±10V+16V,-12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1500 pF @ 30 V1670 pF @ 50 V2200 pF @ 75 V2670 pF @ 50 V2730 pF @ 40 V2950 pF @ 50 V3840 pF @ 30 V3870 pF @ 50 V3980 pF @ 40 V4100 pF @ 12.5 V4230 pF @ 30 V4430 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
960mW(Ta),170W(Tc)1.5W(Ta),119W(Tc)1.5W(Ta),156W(Tc)1.5W(Ta),83W(Tc)1.65W(Ta),90W(Tc)1.75W(Ta),75W(Tc)1.75W(Ta),90W(Tc)2.1W(Ta),110W(Tc)2.3W2.5W(Ta),187W(Tc)2.6W(Ta),138W(Tc)3.1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-HVSON(5x5.4)8-SOP Advance(5x5)8-VSON-CLIP(5x6)8-VSONP(5x6)25-VQFN (4x6)ATPAKDPAK+LPTSPG-TDSON-8 FLPowerDI5060-8PowerDI5060-8(K 类)SMPSMP-FDTO-220
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN25-PowerVFQFNATPAK(2 引线 + 凸片)TO-220-3TO-220-3(SMT)标片TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
79结果
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/ 79
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD18563Q5A
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
49,067
现货
1 : ¥11.74000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.86666
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Ta)
4.5V,10V
6.8mOhm @ 18A,10V
2.4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 30 V
-
3.2W(Ta),116W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17573Q5B
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Texas Instruments
3,977
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.61060
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100A(Ta)
4.5V,10V
1 毫欧 @ 35A,10V
1.8V @ 250µA
64 nC @ 4.5 V
±20V
9000 pF @ 15 V
-
3.2W(Ta),195W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
5,920
现货
1 : ¥17.08000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.41442
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Ta)
4.5V,10V
3.1 毫欧 @ 50A,10V
2.1V @ 1mA
230 nC @ 10 V
+10V,-20V
9500 pF @ 10 V
-
960mW(Ta),170W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
CSD18532Q5B
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
4,527
现货
1 : ¥18.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.26730
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Ta)
4.5V,10V
3.2 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
5070 pF @ 30 V
-
3.2W(Ta),156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
CSD18540Q5B
CSD18540Q5B
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
12,151
现货
1 : ¥19.37000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.74886
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Ta)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 28A,10V
2.3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
4230 pF @ 30 V
-
3.1W(Ta),195W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
8-VSON (5x6)
CSD19532Q5B
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
8,913
现货
1 : ¥20.03000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.04903
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Ta)
6V,10V
4.9 毫欧 @ 17A,10V
3.2V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
4810 pF @ 50 V
-
3.1W(Ta),195W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8 FL
BSC019N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Infineon Technologies
14,013
现货
1 : ¥20.61000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.07905
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Ta)
6V,10V
1.95 毫欧 @ 50A,10V
3.3V @ 74µA
77 nC @ 10 V
±20V
5250 pF @ 30 V
-
136W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD19502Q5B
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Texas Instruments
6,218
现货
1 : ¥20.93000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.45067
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
100A(Ta)
6V,10V
4.1 毫欧 @ 19A,10V
3.3V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
4870 pF @ 40 V
-
3.1W(Ta),195W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18532Q5BT
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
3,138
现货
1 : ¥23.31000
剪切带(CT)
250 : ¥15.02900
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Ta)
4.5V,10V
3.2 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
5070 pF @ 30 V
-
3.2W(Ta),156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18540Q5BT
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
3,520
现货
1 : ¥24.14000
剪切带(CT)
250 : ¥15.56460
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Ta)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 28A,10V
2.3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
4230 pF @ 30 V
-
3.1W(Ta),195W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
ATPAK
ATP304-TL-H
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
onsemi
548
现货
1 : ¥41.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥20.20252
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Ta)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 50A,10V
-
250 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 20 V
-
90W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
ATPAK
ATPAK(2 引线 + 凸片)
8-Power TDFN
CSD17576Q5B
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Texas Instruments
6,387
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.29625
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100A(Ta)
4.5V,10V
2 毫欧 @ 25A,10V
1.8V @ 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
4430 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD19533Q5A
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
37,945
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.09301
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Ta)
6V,10V
9.4 毫欧 @ 13A,10V
3.4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2670 pF @ 50 V
-
3.2W(Ta),96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
TO-220-3
CSD19534KCS
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Texas Instruments
355
现货
1 : ¥12.56000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Ta)
6V,10V
16.5 毫欧 @ 30A,10V
3.4V @ 250µA
22.2 nC @ 10 V
±20V
1670 pF @ 50 V
-
118W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
8-Power TDFN
CSD18563Q5AT
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
19,030
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
250 : ¥8.16040
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Ta)
4.5V,10V
6.8mOhm @ 18A,10V
2.4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 30 V
-
3.2W(Ta),116W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
2,594
现货
1 : ¥13.13000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.43590
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Ta)
4.5V,10V
2.3 毫欧 @ 50A,10V
2.5V @ 500µA
76 nC @ 10 V
±20V
5490 pF @ 10 V
-
180W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-Power TDFN
CSD19533Q5AT
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
1,046
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
250 : ¥8.50684
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Ta)
6V,10V
9.4 毫欧 @ 13A,10V
3.4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2670 pF @ 50 V
-
3.2W(Ta),96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
TO-220-3
CSD19503KCS
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Texas Instruments
330
现货
1 : ¥13.71000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
100A(Ta)
6V,10V
9.2 毫欧 @ 60A,10V
3.4V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
2730 pF @ 40 V
-
188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
CSD19533KCS
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Texas Instruments
2,017
现货
1 : ¥13.79000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Ta)
6V,10V
10.5 毫欧 @ 55A,10V
3.4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2670 pF @ 50 V
-
188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
8-Power TDFN
CSD18531Q5AT
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
1,967
现货
1 : ¥16.17000
剪切带(CT)
250 : ¥10.42884
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Ta)
4.5V,10V
4.6 毫欧 @ 22A,10V
2.3V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
3840 pF @ 30 V
-
3.1W(Ta),156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD19502Q5BT
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Texas Instruments
8,442
现货
1 : ¥16.75000
剪切带(CT)
250 : ¥10.76444
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
100A(Ta)
6V,10V
4.1 毫欧 @ 19A,10V
3.3V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
4870 pF @ 40 V
-
3.1W(Ta),195W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD16570Q5B
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Texas Instruments
6,003
现货
1 : ¥16.91000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.61864
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
100A(Ta)
4.5V,10V
0.59 毫欧 @ 50A,10V
1.9V @ 250µA
250 nC @ 10 V
±20V
14000 pF @ 12 V
-
3.2W(Ta),195W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD19531Q5AT
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
5,902
现货
1 : ¥17.40000
剪切带(CT)
250 : ¥11.23236
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Ta)
6V,10V
6.4 毫欧 @ 16A,10V
3.3V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
3870 pF @ 50 V
-
3.3W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
TO-220-3
CSD19531KCS
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Texas Instruments
142
现货
1 : ¥17.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Ta)
6V,10V
7.7 毫欧 @ 60A,10V
3.3V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
3870 pF @ 50 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
8-Power TDFN
CSD17570Q5B
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Texas Instruments
2,107
现货
1 : ¥18.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.27821
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100A(Ta)
4.5V,10V
0.69 毫欧 @ 50A,10V
1.9V @ 250µA
121 nC @ 4.5 V
±20V
13600 pF @ 15 V
-
3.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
显示
/ 79

100A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。