存储器

结果 : 4
制造商
Microchip TechnologyMicron Technology Inc.Renesas Electronics Corporation
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAMEEPROM闪存
技术
EEPROMFLASH - NORSDRAM - DDR2闪存
存储容量
2Kb512Kb512Mb1Gb
存储器组织
256 x 864K x 864M x 1664M x 8
存储器接口
I2CSPISPI - 四 I/O并联
时钟频率
400 kHz104 MHz133 MHz400 MHz
写周期时间 - 字,页
15ns8µs,1.75ms5ms8ms,2.8ms
访问时间
400 ps900 ns
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V1.7V ~ 5.5V2.3V ~ 3.6V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)-40°C ~ 85°C(TC)-40°C ~ 95°C(TC)
封装/外壳
8-UFDFN 裸露焊盘16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)84-TFBGASOT-23-6
供应商器件封装
8-UDFN(2x3)16-SO84-FBGA(8x12.5)SOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-23-6
24AA025E48T-I/OT
IC EEPROM 2KBIT I2C SOT23-6
Microchip Technology
72,093
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.79056
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
已验证
非易失
EEPROM
EEPROM
2Kb
256 x 8
I2C
400 kHz
5ms
900 ns
1.7V ~ 5.5V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
84-FBGA
MT47H64M16NF-25E IT:M
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
Micron Technology Inc.
291
现货
1 : ¥40.15000
散装
-
散装
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR2
1Gb
64M x 16
并联
400 MHz
15ns
400 ps
1.7V ~ 1.9V
-40°C ~ 95°C(TC)
表面贴装型
84-TFBGA
84-FBGA(8x12.5)
16-SO
MT25QL512ABB8ESF-0SIT
IC FLASH 512MBIT SPI 133MHZ 16SO
Micron Technology Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥76.68000
托盘
-
托盘
在售
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb
64M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
8ms,2.8ms
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
16-SO
17,789
现货
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.15461
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
非易失
闪存
闪存
512Kb
64K x 8
SPI
104 MHz
8µs,1.75ms
-
2.3V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TC)
表面贴装型
8-UFDFN 裸露焊盘
8-UDFN(2x3)
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存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。