存储器

结果 : 2
制造商
Alliance Memory, Inc.ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
包装
卷带(TR)托盘
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
FLASH - NOR(SLC)SDRAM
存储容量
8Mb64Mbit
存储器组织
1M x 84M x 16
存储器接口
SPI - 四 I/O,QPI,DTR并联
时钟频率
133 MHz143 MHz
写周期时间 - 字,页
40µs,800µs-
访问时间
5.4 ns7 ns
电压 - 供电
2.3V ~ 3.6V3V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 105°C(TA)0°C ~ 70°C(TA)
封装/外壳
8-UFDFN 裸露焊盘54-TFBGA
供应商器件封装
8-USON(2x3)54-TFBGA(8x8)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
54-TFBGA
AS4C4M16SA-7BCN
IC DRAM 64MBIT PAR 54TFBGA
Alliance Memory, Inc.
696
现货
1 : ¥26.68000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM
64Mbit
4M x 16
并联
143 MHz
-
5.4 ns
3V ~ 3.6V
0°C ~ 70°C(TA)
-
-
表面贴装型
54-TFBGA
54-TFBGA(8x8)
0
现货
查看交期
5,000 : ¥3.36491
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR(SLC)
8Mb
1M x 8
SPI - 四 I/O,QPI,DTR
133 MHz
40µs,800µs
7 ns
2.3V ~ 3.6V
-40°C ~ 105°C(TA)
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
8-UFDFN 裸露焊盘
8-USON(2x3)
显示
/ 2

存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。