单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
HEXFET®SIPMOS®SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.9A（Ta）6A（Tc）57A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
23 毫欧 @ 28A，10V300 毫欧 @ 1.9A，10V1.2 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V46 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
410 pF @ 25 V905 pF @ 25 V3130 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）110W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKPG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3710STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Infineon Technologies
16,275
现货
1 : ¥15.27000
剪切带（CT）
800 : ¥8.54289
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
57A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 28A，10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-223-4
BSP170PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Infineon Technologies
13,717
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.17221
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.9A（Ta）
10V
300 毫欧 @ 1.9A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
410 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
D²PAK
STB6NK60ZT4
MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK
STMicroelectronics
28
现货
1 : ¥21.10000
剪切带（CT）
1,000 : ¥10.03000
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
6A（Tc）
10V
1.2 欧姆 @ 3A，10V
4.5V @ 100µA
46 nC @ 10 V
±30V
905 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。