单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.STMicroelectronics
系列
-CoolMOS™ P7MESH OVERLAY™, MESH OVERLAY™StrongIRFET™ 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V80 V300 V600 V700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA（Ta）3A（Tc）10A（Tc）12A（Tc）17A（Ta），98A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.5 毫欧 @ 60A，10V280 毫欧 @ 3.8A，10V330 毫欧 @ 5A，10V2 欧姆 @ 500mA，10V4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA3.5V @ 30µA3.8V @ 55µA4V @ 190µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.44 nC @ 4.5 V3.8 nC @ 10 V18 nC @ 10 V23 nC @ 10 V54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13 pF @ 10 V130 pF @ 400 V761 pF @ 400 V780 pF @ 25 V2500 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），1.1W（Tc）3W（Ta），107W（Tc）6W（Tc）53W（Tc）103W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT223PG-TO252-3SOT-323TO-252（DPAK）
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD60R280P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Infineon Technologies
4,961
现货
1 : ¥10.18000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.22408
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
12A（Tc）
10V
280 毫欧 @ 3.8A，10V
4V @ 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-323
NX3020NAKW,115
MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323
Nexperia USA Inc.
309,094
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26537
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
180mA（Ta）
2.5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
1.5V @ 250µA
0.44 nC @ 4.5 V
±20V
13 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），1.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
PG-SOT223
IPN70R2K0P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Infineon Technologies
11,396
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.61078
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
3A（Tc）
10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 30µA
3.8 nC @ 10 V
±16V
130 pF @ 400 V
-
6W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4，TO-261AA
DPAK
STD10NF30
MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK
STMicroelectronics
4,524
现货
1 : ¥11.82000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.87604
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
10A（Tc）
10V
330 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
780 pF @ 25 V
-
103W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
1,815
现货
1 : ¥13.96000
剪切带（CT）
2,000 : ¥6.30712
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
17A（Ta），98A（Tc）
6V，10V
5.5 毫欧 @ 60A，10V
3.8V @ 55µA
54 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 40 V
-
3W（Ta），107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。