单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
-HEXFET®MDmesh™ II Plus
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）12A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 21A，4.5V140 毫欧 @ 5A，10V380 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 50µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.7 nC @ 10 V17 nC @ 10 V72 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
580 pF @ 100 V1167 pF @ 25 V3770 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
42W（Tc）63W（Tc）110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKTO-252-3TO-252AA (DPAK)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-2
DMN10H170SK3-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Diodes Incorporated
148,660
现货
32,500
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.61622
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12A（Tc）
4.5V，10V
140 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
1167 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRLR6225TRPBF
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Infineon Technologies
1,360
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.65907
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100A（Tc）
2.5V，4.5V
4 毫欧 @ 21A，4.5V
1.1V @ 50µA
72 nC @ 4.5 V
±12V
3770 pF @ 10 V
-
63W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STMicroelectronics
6,169
现货
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.38851
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
11A（Tc）
10V
380 毫欧 @ 5.5A，10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
580 pF @ 100 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。