单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ C7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
400 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A（Tc）19A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
120 毫欧 @ 7.8A，10V7 欧姆 @ 1.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4V @ 390µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V34 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
270 pF @ 25 V1500 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
50W（Tc）92W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3TO-252AA
封装/外壳
TO-220-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6,747
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.43396
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
1.8A（Tc）
10V
7 欧姆 @ 1.1A，10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220-3
IPP60R120C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3
Infineon Technologies
630
现货
1 : ¥37.19000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
19A（Tc）
10V
120 毫欧 @ 7.8A，10V
4V @ 390µA
34 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
92W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。