单 FET，MOSFET

结果 : 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V55 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A（Ta）6.5A（Ta）7.3A（Ta）13A（Ta）17A（Tc）18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 13A，10V22 毫欧 @ 4.4A，10V30 毫欧 @ 6.5A，4.5V75 毫欧 @ 10A，10V110 毫欧 @ 9.6A，10V250 毫欧 @ 910mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA2.25V @ 25µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V14 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V22 nC @ 5 V32 nC @ 10 V51 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
85 pF @ 25 V370 pF @ 25 V650 pF @ 25 V1210 pF @ 15 V1310 pF @ 15 V1530 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
540mW（Ta）2W（Ta）2.5W（Ta）45W（Tc）57W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOMicro3™/SOT-23Micro6™（SOT23-6）TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
160,156
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80293
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 910mA，10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IRFR024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Infineon Technologies
163,201
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.40739
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
17A（Tc）
10V
75 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-6
IRLMS2002TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Infineon Technologies
75,264
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.95306
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.5A（Ta）
2.5V，4.5V
30 毫欧 @ 6.5A，4.5V
1.2V @ 250µA
22 nC @ 5 V
±12V
1310 pF @ 15 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro6™（SOT23-6）
SOT-23-6
TO252-3
IRFR5505TRPBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Infineon Technologies
146,605
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.70751
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
18A（Tc）
10V
110 毫欧 @ 9.6A，10V
4V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 25 V
-
57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRF7495TRPBF
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Infineon Technologies
16,240
现货
1 : ¥12.97000
剪切带（CT）
4,000 : ¥5.35219
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7.3A（Ta）
10V
22 毫欧 @ 4.4A，10V
4V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
1530 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7413ZTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Infineon Technologies
15,923
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.84039
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13A（Ta）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 13A，10V
2.25V @ 25µA
14 nC @ 4.5 V
±20V
1210 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。