单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
STripFET™ IIISuperMESH™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V200 V1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.3A(Tc)9.4A(Tc)270A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 毫欧 @ 80A,10V305 毫欧 @ 3.8A,10V1.38 欧姆 @ 4.15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
85 nC @ 10 V150 nC @ 10 V162 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3500 pF @ 25 V3700 pF @ 25 V7500 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
68W(Tc)230W(Tc)300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
10-PowerSOPowerPAK® SO-8TO-247-3
封装/外壳
PowerPAK® SO-8PowerSO-10 裸露底部焊盘TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak® SO-8
SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,872
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.82959
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
9.4A(Tc)
6V,10V
305 毫欧 @ 3.8A,10V
3.5V @ 250µA
85 nC @ 10 V
±20V
3700 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerSO-10
STV270N4F3
MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
STMicroelectronics
1,140
现货
1 : ¥45.32000
剪切带(CT)
600 : ¥27.36352
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
270A(Tc)
10V
1.5 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
TO-247-3 HiP
STW11NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
STMicroelectronics
549
现货
1 : ¥52.63000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
8.3A(Tc)
10V
1.38 欧姆 @ 4.15A,10V
4.5V @ 100µA
162 nC @ 10 V
±30V
3500 pF @ 25 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。