单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
750mA（Ta）24A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 20A，10V550 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
36 pF @ 16 V1800 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
470mW（Ta）2.5W（Ta），75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-FLX1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFN8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMN2400UFB-7
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Diodes Incorporated
699,486
现货
693,000
工厂
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51312
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
750mA（Ta）
1.8V，4.5V
550 毫欧 @ 600mA，4.5V
900mV @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±12V
36 pF @ 16 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
TSDSON-8
BSZ024N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Infineon Technologies
89,244
现货
1 : ¥9.93000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.62068
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
24A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
2.4 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。