单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiVishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A（Ta）7.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 2.2A，4.5V200 毫欧 @ 4.6A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.4 nC @ 5 V9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
300 pF @ 10 V400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）2.5W（Ta），25W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-3TO-251AA
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDN337N
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
onsemi
79,127
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.36985
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.2A（Ta）
2.5V，4.5V
65 毫欧 @ 2.2A，4.5V
1V @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
300 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-251AA
IRLU014PBF
MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Vishay Siliconix
2,767
现货
1 : ¥7.14000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.7A（Tc）
4V，5V
200 毫欧 @ 4.6A，5V
2V @ 250µA
8.4 nC @ 5 V
±10V
400 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。