单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
GeneSiC Semiconductoronsemi
系列
-G3R™
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Tc）68A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 40A， 18V36 毫欧 @ 50A，15V208 毫欧 @ 10A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.69V @ 12mA2.7V @ 5mA（典型值）4.4V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 15 V151 nC @ 18 V155 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±15V+20V，-10V+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
724 pF @ 800 V3175 pF @ 800 V3901 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
128W（Tc）352W（Tc）400W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-247-4TO-247-4LTO-263-7
封装/外壳
TO-247-4TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-4 Top
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,603
现货
1 : ¥184.96000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
90A（Tc）
15V
36 毫欧 @ 50A，15V
2.69V @ 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
400W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
NVH4L022N120M3S
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
onsemi
862
现货
213,750
工厂
1 : ¥323.78000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
68A（Tc）
18V
30 毫欧 @ 40A， 18V
4.4V @ 20mA
151 nC @ 18 V
+22V，-10V
3175 pF @ 800 V
-
352W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
GA20JT12-263
G3R160MT12J
SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
1,059
现货
1 : ¥59.60000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
19A（Tc）
15V
208 毫欧 @ 10A，15V
2.7V @ 5mA（典型值）
23 nC @ 15 V
+20V，-10V
724 pF @ 800 V
-
128W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。