单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA（Ta）1.5A（Ta）2.6A（Ta）3.9A（Ta），3.9A（Tc）11.7A（Ta）22A（Ta），40A（Tc）30A（Ta），100A（Tc）39A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 毫欧 @ 30A，10V1.6 毫欧 @ 50A，10V2.5 毫欧 @ 20A，10V7.5 毫欧 @ 18.3A，10V58 毫欧 @ 3.1A，10V125 毫欧 @ 1.5A，10V130 毫欧 @ 2.6A，10V6 欧姆 @ 190mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA1.8V @ 13µA2V @ 250µA2.8V @ 95µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.9 nC @ 10 V5.6 nC @ 10 V9 nC @ 10 V12 nC @ 10 V19 nC @ 4.5 V52 nC @ 10 V64 nC @ 10 V71 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20.9 pF @ 25 V182 pF @ 15 V370 pF @ 15 V3680 pF @ 20 V4700 pF @ 12 V5200 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）1.4W（Ta）1.5W（Ta）1.56W（Ta），2.8W（Tc）2.1W（Ta），69W（Tc）2.5W（Ta），139W（Tc）2.5W（Ta），96W（Tc）
供应商器件封装
PG-SOT23PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-7PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® 1212-8SC-70-6SOT-23-3
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式6-TSSOP，SC-88，SOT-3638-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
显示
/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
200,302
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54710
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
190mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 190mA，10V
1.8V @ 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SI7114DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
6,415
现货
1 : ¥13.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.22728
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11.7A（Ta）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 18.3A，10V
3V @ 250µA
19 nC @ 4.5 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-PowerTDFN
BSC016N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Infineon Technologies
29,813
现货
1 : ¥20.77000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.02215
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
1.6 毫欧 @ 50A，10V
2.8V @ 95µA
71 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
SOT-23-3
AO3409
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
19,176
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68272
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.6A（Ta）
4.5V，10V
130 毫欧 @ 2.6A，10V
3V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
SC-70-6
SI1416EDH-T1-BE3
MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
Vishay Siliconix
5,496
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99916
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.9A（Ta），3.9A（Tc）
-
58 毫欧 @ 3.1A，10V
1.4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±12V
-
-
1.56W（Ta），2.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SOT-23-3
FDN358P
MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
onsemi
2,436
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.35019
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
125 毫欧 @ 1.5A，10V
3V @ 250µA
5.6 nC @ 10 V
±20V
182 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSDSON-8
BSZ025N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Infineon Technologies
7,814
现货
1 : ¥12.07000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.75779
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
22A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
2.5 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±20V
3680 pF @ 20 V
-
2.1W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC010NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Infineon Technologies
18,249
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.88068
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
39A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
1 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 12 V
-
2.5W（Ta），96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。