单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
EPCInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-eGaN®HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V40 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
660mA（Ta）1.7A（Ta）1.7A（Tc）5.8A（Ta）7.6A（Ta）21A（Ta），78A（Tc）50A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 20A，4.5V4.5 毫欧 @ 35A，10V12.5 毫欧 @ 10A，10V24 毫欧 @ 5.8A，10V29 毫欧 @ 7.6A，10V65 毫欧 @ 4.2A，4.5V80 毫欧 @ 1A，5V480 毫欧 @ 780mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.2V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 250µA2.35V @ 10µA2.5V @ 250µA2.5V @ 600µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.83 nC @ 5 V5.2 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 10 V23 nC @ 10 V46 nC @ 10 V120 nC @ 10 V300 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+5.75V，-4V±6V±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
88 pF @ 50 V170 pF @ 16 V430 pF @ 10 V450 pF @ 15 V1300 pF @ 25 V1800 pF @ 25 V5500 pF @ 25 V8840 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）1.25W（Ta）2.5W（Ta）3.3W（Tc）3.6W（Ta），50W（Tc）4.8W（Ta），57W（Tc）183W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-SOICPowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8SC-70-6SOT-23SOT-723模具
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3638-PowerTDFN，5 引线8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8SOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8S
SISS23DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Vishay Siliconix
17,543
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.58400
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
50A（Tc）
1.8V，4.5V
4.5 毫欧 @ 20A，4.5V
900mV @ 250µA
300 nC @ 10 V
±8V
8840 pF @ 15 V
-
4.8W（Ta），57W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
EPC2203
EPC2203
GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
EPC
80,641
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.11239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
80 V
1.7A（Ta）
5V
80 毫欧 @ 1A，5V
2.5V @ 600µA
0.83 nC @ 5 V
+5.75V，-4V
88 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
模具
模具
8-SOIC
FDS3580
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
onsemi
14,738
现货
1 : ¥12.81000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.28541
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
7.6A（Ta）
6V，10V
29 毫欧 @ 7.6A，10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT-23-3
IRFML8244TRPBF
MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Infineon Technologies
32,529
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85123
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
5.8A（Ta）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 5.8A，10V
2.35V @ 10µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC-70-6
SQ1470AEH-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Vishay Siliconix
270,542
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34119
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.7A（Tc）
2.5V，4.5V
65 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1.6V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±12V
450 pF @ 15 V
-
3.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SOT-723_631AA
NTK3139PT1G
MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
onsemi
56,002
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.83707
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
660mA（Ta）
1.5V，4.5V
480 毫欧 @ 780mA，4.5V
1.2V @ 250µA
-
±6V
170 pF @ 16 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
PowerPAK_SO-8L
SQJ147ELP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
21,070
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.24934
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
90A（Tc）
-
12.5 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 25 V
-
183W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C460NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
onsemi
1,002
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.89453
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
21A（Ta），78A（Tc）
4.5V，10V
4.5 毫欧 @ 35A，10V
2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.6W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。