单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedEPCGeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-eGaN®G3R™HEXFET®U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V65 V100 V200 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）200mA（Ta）500mA（Ta）1.2A（Ta）1.7A（Ta）3A（Ta）4A（Ta）7.7A（Ta）11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V5V，10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21 毫欧 @ 5.8A，10V43 毫欧 @ 1A，5V65 毫欧 @ 1A，5V130 毫欧 @ 500mA，5V420 毫欧 @ 4A，15V480 毫欧 @ 1.2A，10V3.3 欧姆 @ 50mA，5V3.9 欧姆 @ 100mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 20µA2.5V @ 250µA2.5V @ 25µA2.5V @ 600µA2.69V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.044 nC @ 5 V0.35 nC @ 4.5 V0.45 nC @ 5 V0.67 nC @ 4.5 V0.91 nC @ 5 V4.3 nC @ 5 V12 nC @ 15 V47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±15V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8.4 pF @ 50 V17 pF @ 10 V50 pF @ 25 V52 pF @ 32.5 V64 pF @ 25 V90 pF @ 50 V334 pF @ 800 V573 pF @ 100 V1570 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）370mW（Ta）1.25W（Ta）1.9W（Ta），13W（Tc）74W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DFN2020M-6Micro3™/SOT-23SOT-23-3TO-247-3模具
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
382,821
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27816
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
80,617
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.64032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
500mA（Ta）
5V
3.3 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 20µA
0.044 nC @ 5 V
+6V，-4V
8.4 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
24,328
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.64032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
1.7A（Ta）
5V
65 毫欧 @ 1A，5V
2.5V @ 600µA
0.91 nC @ 5 V
+6V，-4V
90 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC8009
GANFET N-CH 65V 4A DIE
EPC
7,904
现货
1 : ¥28.81000
剪切带（CT）
2,500 : ¥14.01172
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
65 V
4A（Ta）
5V
130 毫欧 @ 500mA，5V
2.5V @ 250µA
0.45 nC @ 5 V
+6V，-4V
52 pF @ 32.5 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
531,704
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19992
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
3.9 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2060TRPBF
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
43,984
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88628
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
480 毫欧 @ 1.2A，10V
2.5V @ 25µA
0.67 nC @ 4.5 V
±16V
64 pF @ 25 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
PMPB17EPX
P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Nexperia USA Inc.
5,371
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11291
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 5.8A，10V
2.5V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
1570 pF @ 15 V
-
1.9W（Ta），13W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
TO-247-3
G3R350MT12D
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
8,523
现货
1 : ¥38.91000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
11A（Tc）
15V
420 毫欧 @ 4A，15V
2.69V @ 2mA
12 nC @ 15 V
±15V
334 pF @ 800 V
-
74W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
EPC
0
现货
查看交期
1 : ¥13.96000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.30635
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
3A（Ta）
5V
43 毫欧 @ 1A，5V
2.5V @ 1mA
4.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
573 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。