单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedEPCVishay Siliconix
系列
-eGaN®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.2A（Ta）9A（Tc）10A（Ta）69A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.55 毫欧 @ 37A，5V20 毫欧 @ 6A，5V25 毫欧 @ 4A，10V79 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 250µA2.5V @ 18mA2.5V @ 250µA2.5V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.2 nC @ 5 V9.5 nC @ 10 V18.4 nC @ 10 V22.3 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
238 pF @ 40 V380 pF @ 25 V873 pF @ 15 V3267 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
900mW（Ta）13.6W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6SOT-23-3模具
封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN3023L-7
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Diodes Incorporated
219,063
现货
5,589,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83177
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.2A（Ta）
2.5V，10V
25 毫欧 @ 4A，10V
1.8V @ 250µA
18.4 nC @ 10 V
±20V
873 pF @ 15 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
EPC2067
EPC2067
TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
EPC
3,901
现货
1 : ¥38.42000
剪切带（CT）
1,000 : ¥19.87877
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
40 V
69A（Ta）
5V
1.55 毫欧 @ 37A，5V
2.5V @ 18mA
22.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
3267 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2214
EPC2214
GANFET N-CH 80V 10A DIE
EPC
22,152
现货
1 : ¥9.77000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.84916
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
80 V
10A（Ta）
5V
20 毫欧 @ 6A，5V
2.5V @ 2mA
2.2 nC @ 5 V
+6V，-4V
238 pF @ 40 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
模具
模具
PowerPAK-SC-70W-6L_Single
SQA700CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Vishay Siliconix
11,221
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.48225
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9A（Tc）
4.5V，10V
79 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
380 pF @ 25 V
-
13.6W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。