单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
GeneSiC SemiconductorPanjit International Inc.STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-G3R™MDmesh™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
30 V600 V800 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.1A（Ta）5A（Tc）11A（Tc）21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
184 毫欧 @ 10A，10V370 毫欧 @ 1.1A，4.5V420 毫欧 @ 4A，15V1 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA2.69V @ 2mA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.6 nC @ 4.5 V12 nC @ 15 V18 nC @ 10 V89 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±15V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
125 pF @ 15 V334 pF @ 800 V400 pF @ 25 V1836 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）74W（Tc）96W（Tc）208W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKSOT-23TO-247-3TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_DPAK(TO252-3)
STD5NM60T4
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
STMicroelectronics
8,072
现货
1 : ¥20.20000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.11490
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
5A（Tc）
10V
1 欧姆 @ 2.5A，10V
5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±30V
400 pF @ 25 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
5,379
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46181
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.1A（Ta）
1.8V，4.5V
370 毫欧 @ 1.1A，4.5V
1.3V @ 250µA
1.6 nC @ 4.5 V
±8V
125 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-247-3
G3R350MT12D
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
8,518
现货
1 : ¥38.91000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
11A（Tc）
15V
420 毫欧 @ 4A，15V
2.69V @ 2mA
12 nC @ 15 V
±15V
334 pF @ 800 V
-
74W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
SIHB24N80AE-GE3
SIHB24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Vishay Siliconix
579
现货
1 : ¥28.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
21A（Tc）
-
184 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
89 nC @ 10 V
±30V
1836 pF @ 100 V
-
208W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。