单 FET，MOSFET

结果 : 6
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
40 V65 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）4A（Ta）5A（Ta）6A（Ta）29A（Ta）36A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6mOhm @ 15A，5V7 毫欧 @ 25A，5V30 毫欧 @ 6A，5V100 毫欧 @ 3A，5V110 毫欧 @ 500mA，5V3.3 欧姆 @ 59mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1.2mA2.5V @ 100µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.5V @ 5mA2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.064 nC @ 5 V0.45 nC @ 5 V1.3 nC @ 5 V2.2 nC @ 5 V8.5 nC @ 5 V9 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10 pF @ 32.5 V52 pF @ 20 V140 pF @ 100 V220 pF @ 50 V900 pF @ 50 V1111 pF @ 20 V
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
10,194
现货
1 : ¥18.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.38153
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
6A（Ta）
5V
30 毫欧 @ 6A，5V
2.5V @ 1.2mA
2.2 nC @ 5 V
+6V，-4V
220 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
33,859
现货
1 : ¥20.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.04321
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
40 V
29A（Ta）
5V
3.6mOhm @ 15A，5V
2.5V @ 7mA
8.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
1111 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
7,090
现货
1 : ¥23.97000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.80774
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
5A（Ta）
5V
100 毫欧 @ 3A，5V
2.5V @ 1mA
1.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC8004
GANFET N-CH 40V 4A DIE
EPC
7,068
现货
1 : ¥26.19000
剪切带（CT）
2,500 : ¥12.72902
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
40 V
4A（Ta）
5V
110 毫欧 @ 500mA，5V
2.5V @ 250µA
0.45 nC @ 5 V
+6V，-4V
52 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
96,103
现货
1 : ¥40.89000
剪切带（CT）
2,500 : ¥19.89575
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
36A（Ta）
5V
7 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 5mA
9 nC @ 5 V
+6V，-4V
900 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2219
EPC2219
TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
EPC
7,919
现货
1 : ¥8.05000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.31018
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
65 V
500mA（Ta）
5V
3.3 欧姆 @ 59mA，5V
2.5V @ 100µA
0.064 nC @ 5 V
-
10 pF @ 32.5 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。