单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
EPConsemiTransphorm
系列
-eGaN®TP65H070L
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V170 V200 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）6A（Ta）14A（Ta）24A（Ta）25A（Tc）29A（Ta）32A（Ta）48A（Ta）102A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.1 毫欧 @ 32A，5V6 毫欧 @ 16A，5V8 毫欧 @ 20A，5V9 毫欧 @ 10A，5V10 毫欧 @ 16A，10V22 毫欧 @ 14A，5V30 毫欧 @ 6A，5V85 毫欧 @ 16A，10V1.6 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 1.2mA2.5V @ 2mA2.5V @ 3mA2.5V @ 4mA2.5V @ 6mA2.5V @ 7mA2.5V @ 8mA4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V2.2 nC @ 5 V5.9 nC @ 5 V7.4 nC @ 5 V9.3 nC @ 10 V10.6 nC @ 5 V11 nC @ 5 V17.7 nC @ 5 V24 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V220 pF @ 50 V600 pF @ 100 V600 pF @ 400 V836 pF @ 85 V851 pF @ 50 V1140 pF @ 100 V1401 pF @ 100 V1790 pF @ 100 V3195 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
280mW（Tj）96W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
3-PQFN（8x8）7-QFN（3x5）SC-70-3（SOT323）模具
封装/外壳
3-PowerDFN7-PowerWQFNSC-70，SOT-323模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
显示
/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-70-3
2N7002W
MOSFET SOT323 N 60V 13.5OHM
onsemi
4,895
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63694
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 50mA，5V
2V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
22,557
现货
1 : ¥18.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.38099
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
6A（Ta）
5V
30 毫欧 @ 6A，5V
2.5V @ 1.2mA
2.2 nC @ 5 V
+6V，-4V
220 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
EPC
29,115
现货
1 : ¥19.54000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.82209
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
14A（Ta）
5V
22 毫欧 @ 14A，5V
2.5V @ 2mA
5.9 nC @ 5 V
+6V，-4V
600 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
5,532
现货
1 : ¥19.78000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.93236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
29A（Ta）
5V
6 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 4mA
7.4 nC @ 5 V
+6V，-4V
851 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
EPC
28,245
现货
1 : ¥27.26000
剪切带（CT）
2,500 : ¥13.26299
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
170 V
24A（Ta）
5V
9 毫欧 @ 10A，5V
2.5V @ 3mA
7.4 nC @ 5 V
+6V，-4V
836 pF @ 85 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2307ENGRT
EPC2307ENGRT
TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
EPC
25,312
现货
1 : ¥49.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥26.22170
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
48A（Ta）
5V
10 毫欧 @ 16A，10V
2.5V @ 4mA
10.6 nC @ 5 V
+6V，-4V
1401 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
32,524
现货
1 : ¥52.29000
剪切带（CT）
2,500 : ¥27.79498
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
32A（Ta）
5V
8 毫欧 @ 20A，5V
2.5V @ 6mA
17.7 nC @ 5 V
+6V，-4V
1790 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2304ENGRT
EPC2304ENGRT
TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
EPC
36,328
现货
1 : ¥69.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥36.71034
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
102A（Ta）
5V
3.1 毫欧 @ 32A，5V
2.5V @ 8mA
24 nC @ 5 V
+6V，-4V
3195 pF @ 100 V
-
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
PQFN_8x8
TP65H070LSG-TR
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Transphorm
12,335
现货
1 : ¥72.82000
剪切带（CT）
500 : ¥61.05702
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
25A（Tc）
10V
85 毫欧 @ 16A，10V
4.8V @ 700µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 400 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
3-PQFN（8x8）
3-PowerDFN
eGaN Series
EPC2034C
GANFET N-CH 200V 48A DIE
EPC
24,337
现货
1 : ¥75.94000
剪切带（CT）
500 : ¥47.88316
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
48A（Ta）
5V
8 毫欧 @ 20A，5V
2.5V @ 7mA
11 nC @ 5 V
+6V，-4V
1140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。