单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V100 V400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.7A（Ta）4.2A（Ta）4.5A（Tc）5.8A（Ta）10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V3V，10V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28 毫欧 @ 5.8A，10V46 毫欧 @ 2.7A，10V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V180 毫欧 @ 5A，10V1 欧姆 @ 2.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7 nC @ 5 V9.2 nC @ 10 V10.2 nC @ 4.5 V12 nC @ 5 V20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
386 pF @ 15 V480 pF @ 10 V520 pF @ 25 V625 pF @ 25 V808 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）720mW（Ta）1.4W（Ta）2.5W（Ta），40W（Tc）2.5W（Ta），48W（Tc）
供应商器件封装
SOT-23-3TO-252AA
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
418,162
现货
3,450,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.41725
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
15,339
现货
1,791,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59847
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
3V，10V
28 毫欧 @ 5.8A，10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN359AN
MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
onsemi
32,557
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.30159
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.7A（Ta）
4.5V，10V
46 毫欧 @ 2.7A，10V
3V @ 250µA
7 nC @ 5 V
±20V
480 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252AA
FQD13N10LTM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
onsemi
5,676
现货
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.20015
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
10A（Tc）
5V，10V
180 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±20V
520 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FQD6N40CTM
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.56590
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
4.5A（Tc）
10V
1 欧姆 @ 2.25A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±30V
625 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。