单 FET，MOSFET

结果 : 11
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
40 V80 V100 V170 V200 V350 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）3A（Ta）6A（Ta）6.3A（Ta）8.2A（Ta）10A（Ta）18A（Ta）24A（Ta）29A（Ta）60A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 25A，5V6 毫欧 @ 16A，5V9 毫欧 @ 10A，5V13.5 毫欧 @ 11A，5V16 毫欧 @ 10A，5V16 毫欧 @ 11A，5V23 毫欧 @ 3A，5V30 毫欧 @ 6A，5V43 毫欧 @ 1A，5V80 毫欧 @ 1A，5V180 毫欧 @ 6A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1.2mA2.5V @ 1.5mA2.5V @ 1mA2.5V @ 2mA2.5V @ 3mA2.5V @ 4mA2.5V @ 600µA2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.83 nC @ 5 V2.2 nC @ 5 V2.5 nC @ 5 V4 nC @ 5 V4.3 nC @ 5 V4.5 nC @ 5 V7.4 nC @ 5 V16.3 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+5.75V，-4V+6V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
88 pF @ 50 V220 pF @ 50 V300 pF @ 20 V386 pF @ 50 V420 pF @ 50 V573 pF @ 100 V575 pF @ 50 V628 pF @ 280 V836 pF @ 85 V851 pF @ 50 V2703 pF @ 50 V
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
显示
/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EPC2203
EPC2203
GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
EPC
80,701
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.11239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
80 V
1.7A（Ta）
5V
80 毫欧 @ 1A，5V
2.5V @ 600µA
0.83 nC @ 5 V
+5.75V，-4V
88 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
模具
模具
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
134,721
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.62409
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
8.2A（Ta）
5V
13.5 毫欧 @ 11A，5V
2.5V @ 3mA
4.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
575 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2014C
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
EPC
52,011
现货
1 : ¥13.13000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.43255
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
40 V
10A（Ta）
5V
16 毫欧 @ 10A，5V
2.5V @ 2mA
2.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
300 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
22,809
现货
1 : ¥18.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.38099
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
6A（Ta）
5V
30 毫欧 @ 6A，5V
2.5V @ 1.2mA
2.2 nC @ 5 V
+6V，-4V
220 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
2,688
现货
1 : ¥19.78000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.93236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
29A（Ta）
5V
6 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 4mA
7.4 nC @ 5 V
+6V，-4V
851 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2016C
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
109,317
现货
1 : ¥21.26000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.59404
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
18A（Ta）
5V
16 毫欧 @ 11A，5V
2.5V @ 3mA
4.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
420 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
EPC
27,901
现货
1 : ¥27.26000
剪切带（CT）
2,500 : ¥13.26299
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
170 V
24A（Ta）
5V
9 毫欧 @ 10A，5V
2.5V @ 3mA
7.4 nC @ 5 V
+6V，-4V
836 pF @ 85 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2050
EPC2050
TRANS GAN BUMPED DIE
EPC
12,647
现货
1 : ¥33.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥22.37047
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
350 V
6.3A（Ta）
5V
180 毫欧 @ 6A，5V
2.5V @ 1mA
4 nC @ 5 V
+6V，-4V
628 pF @ 280 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
15,356
现货
1 : ¥49.34000
剪切带（CT）
1,000 : ¥27.98361
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
60A（Ta）
5V
3.2 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 7mA
16.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
2703 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2070
EPC2070
TRANS GAN DIE 100V .022OHM
EPC
9,465
现货
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.59159
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
1.7A（Ta）
5V
23 毫欧 @ 3A，5V
2.5V @ 1.5mA
2.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
386 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
EPC
0
现货
查看交期
1 : ¥13.96000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.30635
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
3A（Ta）
5V
43 毫欧 @ 1A，5V
2.5V @ 1mA
4.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
573 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。