单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Tc）30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19 毫欧 @ 8A，10V240 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 4.5 V32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
330 pF @ 25 V1400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3W（Tc）48W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SQ2364EES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Vishay Siliconix
3,409
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77579
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Tc）
1.5V，4.5V
240 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 250µA
2.5 nC @ 4.5 V
±8V
330 pF @ 25 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SO-8L
SQJA86EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
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1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.45080
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
30A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。