单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.3A（Ta），10A（Tc）9.2A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 10A，10V69 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16 nC @ 10 V17 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
825 pF @ 30 V864 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）2.2W（Ta）
供应商器件封装
8-SOSOT-223-3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8 SO
DMT6016LSS-13
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Diodes Incorporated
45,476
现货
247,500
工厂
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.68771
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
9.2A（Ta）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT-223-3
DMN6069SE-13
MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223
Diodes Incorporated
6,998
现货
270,000
工厂
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.43700
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.3A（Ta），10A（Tc）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
825 pF @ 30 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。