单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedEPCWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
60 V240 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）30A（Tc）90A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V5V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 31A，5V90 毫欧 @ 20A，15V5.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 1mA2.5V @ 16mA4V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16 nC @ 5 V54 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V+19V，-8V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
200 pF @ 25 V1350 pF @ 1000 V1780 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）113.6W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-223TO-247-3模具
封装/外壳
TO-247-3TO-261-4，TO-261AA模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2020
GANFET N-CH 60V 90A DIE
EPC
2,429
现货
1 : ¥67.49000
剪切带（CT）
500 : ¥42.53782
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
60 V
90A（Ta）
5V
2.2 毫欧 @ 31A，5V
2.5V @ 16mA
16 nC @ 5 V
+6V，-4V
1780 pF @ 30 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
C2D10120D
C3M0075120D
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
858
现货
1 : ¥161.57000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
30A（Tc）
15V
90 毫欧 @ 20A，15V
4V @ 5mA
54 nC @ 15 V
+19V，-8V
1350 pF @ 1000 V
-
113.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
SOT-223
ZVN4424GQTA
MOSFET N-CH 240V SOT223 T&R
Diodes Incorporated
960
现货
374,000
工厂
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.06475
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
500mA（Ta）
2.5V，10V
5.5 欧姆 @ 500mA，10V
1.8V @ 1mA
-
±40V
200 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。