单 FET,MOSFET

结果 : 11
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIX-HU-MOSVIU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA(Ta)180mA(Ta)9A(Ta)19A(Ta),30A(Tc)45A(Ta),50A(Tc)60A(Ta)60A(Tc)70A(Tc)80A(Tc)150A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.6 毫欧 @ 50A,10V0.65 毫欧 @ 50A,10V1.4 毫欧 @ 30A,10V1.7 毫欧 @ 30A,4.5V2 毫欧 @ 20A,10V2.3 毫欧 @ 40A,10V2.9mOhm @ 35A,10V5.8 毫欧 @ 30A,10V7 毫欧 @ 20A,10V6 欧姆 @ 170mA,10V10 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 1mA2V @ 1mA2.1V @ 1mA2.1V @ 200µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 500µA2.4V @ 250µA2.4V @ 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.56 nC @ 10 V10.9 nC @ 4.5 V26 nC @ 10 V41 nC @ 10 V46 nC @ 10 V60 nC @ 10 V110 nC @ 10 V182 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
24.6 pF @ 25 V60 pF @ 25 V1225 pF @ 20 V1252 pF @ 15 V2300 pF @ 15 V2895 pF @ 15 V3600 pF @ 20 V4400 pF @ 15 V10000 pF @ 15 V10900 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)310mW(Ta)630mW(Ta),104W(Tc)630mW(Ta),75W(Tc)760mW(Ta),25.5W(Tc)960mW(Ta),170W(Tc)1.6W(Ta),64W(Tc)4.2W(Ta),39W(Tc)6.2W(Ta),83W(Tc)78W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-DFN-EP(3x3)8-DFN(5x6)8-DSOP Advance8-SOP Advance(5x5)8-TSON Advance(3.1x3.1)SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
8-PowerSMD,扁平引线8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFNSC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果

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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS123W-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
466,035
现货
1,344,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57280
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 170mA,10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
8-DFN
AON7528
MOSFET N-CH 30V 45A/50A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
167,082
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.65836
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
45A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
2 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 15 V
-
6.2W(Ta),83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-DFN-EP(3x3)
8-PowerVDFN
8-DFN
AON6236
MOSFET N-CH 40V 19A/30A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
201,436
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.03235
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
19A(Ta),30A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 20A,10V
2.4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1225 pF @ 20 V
-
4.2W(Ta),39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-DFN(5x6)
8-PowerSMD,扁平引线
19,014
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.63938
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
4.5V,10V
2.3 毫欧 @ 40A,10V
2.4V @ 300µA
41 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 20 V
-
630mW(Ta),104W(Tc)
175°C
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
16,439
现货
1 : ¥11.41000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.48707
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
60A(Tc)
2.5V,4.5V
1.7 毫欧 @ 30A,4.5V
1.2V @ 1mA
182 nC @ 5 V
±12V
10900 pF @ 10 V
-
78W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
35,503
现货
1 : ¥15.85000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.85878
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
150A(Tc)
4.5V,10V
0.65 毫欧 @ 50A,10V
2.1V @ 1mA
110 nC @ 10 V
±20V
10000 pF @ 15 V
-
960mW(Ta),170W(Tc)
175°C
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
SOT-23-3
DMP610DL-7
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
6,597
现货
513,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.31154
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
180mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 1mA
0.56 nC @ 10 V
±30V
24.6 pF @ 25 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS4C09NT1G
MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
onsemi
5,360
现货
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.49421
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9A(Ta)
4.5V,10V
5.8 毫欧 @ 30A,10V
2.1V @ 250µA
10.9 nC @ 4.5 V
±20V
1252 pF @ 15 V
-
760mW(Ta),25.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
15,356
现货
1 : ¥23.48000
剪切带(CT)
5,000 : ¥11.28858
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
150A(Tc)
4.5V,10V
0.6 毫欧 @ 50A,10V
2.1V @ 1mA
110 nC @ 10 V
±20V
10000 pF @ 15 V
-
960mW(Ta),170W(Tc)
175°C
表面贴装型
8-DSOP Advance
8-PowerVDFN
37,446
现货
1 : ¥6.32000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.27010
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
70A(Tc)
4.5V,10V
2.9mOhm @ 35A,10V
2.1V @ 200µA
26 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 15 V
-
630mW(Ta),75W(Tc)
175°C
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
4,778
现货
1 : ¥8.62000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.59753
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
60A(Ta)
4.5V,10V
1.4 毫欧 @ 30A,10V
2.3V @ 500µA
46 nC @ 10 V
±20V
4400 pF @ 15 V
-
1.6W(Ta),64W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。