单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™U-MOSIIIU-MOSVIπ-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）2A（Ta）6A（Ta）120A（Tc）171A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.5V，4V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 68A，10V3.3 毫欧 @ 70A，10V29.8 毫欧 @ 3A，4.5V3.26 欧姆 @ 1A，10V3.6 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.5V @ 100µA2.2V @ 100µA3.9V @ 100µA4.4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 10 V12.8 nC @ 4.5 V60 nC @ 4.5 V93 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13.5 pF @ 3 V380 pF @ 25 V840 pF @ 10 V3183 pF @ 25 V5050 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）1W（Ta）30W（Tc）99W（Tc）125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23FTO-220-3TO-220ABTO-220SISVESM
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线SOT-723TO-220-3TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
78,233
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.34637
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
3.6 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VESM
SOT-723
758,019
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69127
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
1.5V，4.5V
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
TO-220AB PKG
IRFB7446PBF
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Infineon Technologies
2,778
现货
1 : ¥11.58000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tc）
6V，10V
3.3 毫欧 @ 70A，10V
3.9V @ 100µA
93 nC @ 10 V
±20V
3183 pF @ 25 V
-
99W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRLB8314PBF
MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Infineon Technologies
720
现货
1 : ¥8.21000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
171A（Tc）
4.5V，10V
2.4 毫欧 @ 68A，10V
2.2V @ 100µA
60 nC @ 4.5 V
±20V
5050 pF @ 15 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
100
现货
1 : ¥11.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
2A（Ta）
10V
3.26 欧姆 @ 1A，10V
4.4V @ 1mA
9 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 25 V
-
30W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。