单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
STMicroelectronicsTexas Instruments
系列
MESH OVERLAY™NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
30 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Tc）25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，8V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15.1 毫欧 @ 8A，8V160 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
800 pF @ 25 V879 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
16W（Tc）90W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-WSON（2x2）TO-220
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-WSON
CSD17318Q2
MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Texas Instruments
10,670
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.08058
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Tc）
2.5V，8V
15.1 毫欧 @ 8A，8V
1.2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±10V
879 pF @ 15 V
-
16W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-WSON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
TO-220-3
STP19NF20
MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
STMicroelectronics
937
现货
1 : ¥12.89000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
15A（Tc）
10V
160 毫欧 @ 7.5A，10V
4V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
90W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。