单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13.2A（Tc）23A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 50A，10V134 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA3.8V @ 115µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V92 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1480 pF @ 50 V6800 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），156W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SI7113DN-T1-E3
MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Vishay Siliconix
16,410
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.36597
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13.2A（Tc）
4.5V，10V
134 毫欧 @ 4A，10V
3V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 50 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-Power TDFN
BSC026N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
9,086
现货
1 : ¥25.78000
剪切带（CT）
5,000 : ¥12.04106
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
23A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
2.6 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 115µA
92 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。