单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
60 V80 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
33A(Tc)40A(Tc)46A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 毫欧 @ 20A,10V9.9 毫欧 @ 20A,10V105 毫欧 @ 16.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 14µA3.8V @ 36µA5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.1 nC @ 4.5 V29.5 nC @ 10 V80 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1300 pF @ 30 V2080 pF @ 40 V4500 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
36W(Tc)69W(Tc)211W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
LPTSPG-TSDSON-8-26PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSDSON-8
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Infineon Technologies
19,611
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.97929
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
46A(Tc)
4.5V,10V
9.9 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 14µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-PowerTDFN
BSZ075N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
60,656
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.26835
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
40A(Tc)
6V,10V
7.5 毫欧 @ 20A,10V
3.8V @ 36µA
29.5 nC @ 10 V
±20V
2080 pF @ 40 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-26
8-PowerTDFN
LPTS
RJ1U330AAFRGTL
MOSFET N-CH 250V 33A LPTS
Rohm Semiconductor
80
现货
1 : ¥32.43000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.74354
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
33A(Tc)
10V
105 毫欧 @ 16.5A,10V
5V @ 1mA
80 nC @ 10 V
±30V
4500 pF @ 25 V
-
211W(Tc)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LPTS
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。