单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-OptiMOS™QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
80 V100 V120 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Tc）8.6A（Ta），44A（Tc）11A（Ta），55A（Tc）18A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.3 毫欧 @ 33A，10V19 毫欧 @ 39A，10V71 毫欧 @ 5A，10V1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 33µA4V @ 1mA4V @ 42µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 10 V16.4 nC @ 10 V25 nC @ 10 V34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
270 pF @ 25 V773 pF @ 50 V1870 pF @ 40 V2300 pF @ 60 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），66W（Tc）42W（Tc）65W（Tc）69W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）LFPAK33PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFNSOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK33
PSMN075-100MSEX
MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
48,406
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.73077
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18A（Tj）
10V
71 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 1mA
16.4 nC @ 10 V
±20V
773 pF @ 50 V
-
65W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
PG-TDSON-8-1
BSC123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Infineon Technologies
62,155
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.87775
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
11A（Ta），55A（Tc）
6V，10V
12.3 毫欧 @ 33A，10V
3.5V @ 33µA
25 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC190N12NS3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Infineon Technologies
27,256
现货
1 : ¥13.87000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.00631
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
8.6A（Ta），44A（Tc）
10V
19 毫欧 @ 39A，10V
4V @ 42µA
34 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 60 V
-
69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-MLP, Power33
FDMC2523P
MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
onsemi
1,040
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.70165
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
3A（Tc）
10V
1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±30V
270 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。