单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V75 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）40A（Tc）80A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.1 毫欧 @ 25A，10V7.1 毫欧 @ 80A，10V20 毫欧 @ 6.6A，10V25 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
45 nC @ 10 V50 nC @ 5 V70 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1400 pF @ 15 V3380 pF @ 25 V4700 pF @ 25 V7853 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），31W（Tc）136W（Tc）238W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8PG-TO263-3-2PowerPAK® CHIPFET™ 单TO-252AA
封装/外壳
PowerPAK® CHIPFET™ 单SC-100，SOT-669TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y4R8-60E,115
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
16,707
现货
1 : ¥16.34000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.74021
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
5V
4.1 毫欧 @ 25A，10V
2.1V @ 1mA
50 nC @ 5 V
±10V
7853 pF @ 25 V
-
238W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
8-PowerPak Chipfet
SI5419DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Vishay Siliconix
9,796
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.65104
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 6.6A，10V
2.5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），31W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® CHIPFET™ 单
PowerPAK® CHIPFET™ 单
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N08S207ATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Infineon Technologies
451
现货
1 : ¥38.75000
剪切带（CT）
1,000 : ¥20.04682
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
80A（Tc）
10V
7.1 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-252
SQD40N10-25_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Vishay Siliconix
3,414
现货
1 : ¥50.24000
剪切带（CT）
2,000 : ¥23.47874
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 40A，10V
2.5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
3380 pF @ 25 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。