单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®ThunderFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）50A（Tc）270A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7.5V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 34A，10V8.9 毫欧 @ 20A，10V4 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
50 nC @ 10 V249 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
75 pF @ 25 V1950 pF @ 50 V19110 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta）3.8W（Ta），250W（Tc）125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-223-3TO-263-7TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-3
ZVN2110GTA
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
Diodes Incorporated
8,029
现货
129,000
工厂
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.15612
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
500mA（Ta）
10V
4 欧姆 @ 1A，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
75 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
TO-263
FDB0190N807L
MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
onsemi
800
现货
800
工厂
1 : ¥46.71000
剪切带（CT）
800 : ¥28.20995
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
270A（Tc）
8V，10V
1.7 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 250µA
249 nC @ 10 V
±20V
19110 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
TO-263 (D2Pak)
SUM70090E-GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
800 : ¥7.33348
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
50A（Tc）
7.5V，10V
8.9 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 50 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。