单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS®-P2U-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）6.2A（Ta）85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，8V2.5V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.4 毫欧 @ 85A，10V17.6 毫欧 @ 6A，8V25 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.8V @ 250µA2.2V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18.4 nC @ 10 V19.5 nC @ 4.5 V104 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+5V，-16V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
873 pF @ 15 V1400 pF @ 6 V6580 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
900mW（Ta）1W（Ta）88W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO252-3-313SOT-23-3SOT-23F
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
359,283
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75550
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
6A（Ta）
1.8V，8V
17.6 毫欧 @ 6A，8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
DMN3023L-7
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Diodes Incorporated
215,690
现货
5,766,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83182
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.2A（Ta）
2.5V，10V
25 毫欧 @ 4A，10V
1.8V @ 250µA
18.4 nC @ 10 V
±20V
873 pF @ 15 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IPD85P04P4L06ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Infineon Technologies
8,276
现货
1 : ¥14.53000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.56958
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
85A（Tc）
4.5V，10V
6.4 毫欧 @ 85A，10V
2.2V @ 150µA
104 nC @ 10 V
+5V，-16V
6580 pF @ 25 V
-
88W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。