单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A（Tc）35A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 17A，10V38 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1.7mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
63 nC @ 10 V65 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1300 pF @ 25 V2500 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
45W（Tc）125W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO252-3TO-220AB 整包
封装/外壳
TO-220-3 整包TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB Full Pack
IRFIZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 31A TO220AB FP
Infineon Technologies
1,185
现货
1 : ¥12.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
31A（Tc）
10V
24 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB 整包
TO-220-3 整包
TO252-3
IPD380P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Infineon Technologies
18,487
现货
1 : ¥13.05000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.77065
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
35A（Tc）
10V
38 毫欧 @ 35A，10V
4V @ 1.7mA
63 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 30 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。