单 FET,MOSFET

结果 : 9
制造商
EPCInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.STMicroelectronicsTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-eGaN®HEXFET®NexFET™OptiMOS™ 5STripFET™ IITrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23.8A(Ta),80.3A(Tc)30A(Tc)64A(Ta)100A(Ta)120A(Tc)180A(Tc)200A(Ta)286A(Tc)300A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 毫欧 @ 100A,10V1.9 毫欧 @ 25A,10V2.2 毫欧 @ 30A,5V2.4 毫欧 @ 100A,10V4.1 毫欧 @ 19A,10V4.4 毫欧 @ 15A,10V4.7 毫欧 @ 106A,10V6 毫欧 @ 60A,10V23.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 13mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.2V @ 250µA3.3V @ 250µA3.6V @ 1mA3.8V @ 275µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
26 nC @ 5 V29 nC @ 10 V48 nC @ 10 V62 nC @ 10 V153 nC @ 10 V190 nC @ 10 V215 nC @ 10 V231 nC @ 10 V232 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
802 pF @ 50 V1980 pF @ 30 V3931 pF @ 50 V4400 pF @ 25 V4870 pF @ 40 V9575 pF @ 50 V12000 pF @ 50 V16250 pF @ 40 V17140 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta),195W(Tc)3.7W(Ta),52W(Tc)5W(Ta),57W(Tc)300W(Tc)340W(Tc)375W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
8-VSON-CLIP(5x6)D2PAKLFPAK88(SOT1235)PG-HDSOP-16-2PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8TO-263(DDPAK-3)模具
封装/外壳
8-PowerTDFN16-PowerSOP 模块PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SOT-1235TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-4,D2PAK(3 引线 + 凸片),TO-263AA模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果

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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8 Single
SIR186LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
11,111
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.28218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
23.8A(Ta),80.3A(Tc)
4.5V,10V
4.4 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1980 pF @ 30 V
-
5W(Ta),57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8
SIS890DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
32,203
现货
1 : ¥11.08000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.58372
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
30A(Tc)
4.5V,10V
23.5 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
802 pF @ 50 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-Power TDFN
CSD19502Q5B
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Texas Instruments
6,198
现货
1 : ¥20.93000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.45067
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
100A(Ta)
6V,10V
4.1 毫欧 @ 19A,10V
3.3V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
4870 pF @ 40 V
-
3.1W(Ta),195W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4010TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Infineon Technologies
29,655
现货
1 : ¥30.05000
剪切带(CT)
800 : ¥18.12439
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
4.7 毫欧 @ 106A,10V
4V @ 250µA
215 nC @ 10 V
±20V
9575 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
DDPAK/TO-263-3
CSD19536KTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Texas Instruments
1,379
现货
1 : ¥36.45000
剪切带(CT)
500 : ¥22.00876
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
200A(Ta)
6V,10V
2.4 毫欧 @ 100A,10V
3.2V @ 250µA
153 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(DDPAK-3)
TO-263-4,D2PAK(3 引线 + 凸片),TO-263AA
EPC2071
EPC2071
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
EPC
639
现货
1 : ¥54.51000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.17103
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
64A(Ta)
5V
2.2 毫欧 @ 30A,5V
2.5V @ 13mA
26 nC @ 5 V
+6V,-4V
3931 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
D²PAK
STB150NF55T4
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
STMicroelectronics
854
现货
1 : ¥30.54000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.78937
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
120A(Tc)
10V
6 毫欧 @ 60A,10V
4V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
4400 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PSMN1R9-80SSEJ
PSMN1R9-80SSEJ
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥47.86000
剪切带(CT)
2,000 : ¥23.29366
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
286A(Tc)
10V
1.9 毫欧 @ 25A,10V
3.6V @ 1mA
232 nC @ 10 V
±20V
17140 pF @ 40 V
-
340W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK88(SOT1235)
SOT-1235
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N08S5N012TATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥55.58000
剪切带(CT)
1,800 : ¥31.53306
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
300A(Tj)
6V,10V
1.2 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 275µA
231 nC @ 10 V
±20V
16250 pF @ 40 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
显示
/ 9

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。