单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedEPC
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V80 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）5A（Ta）16A（Ta）32A（Ta）60A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 25A，5V7 毫欧 @ 16A，5V8 毫欧 @ 20A，5V100 毫欧 @ 3A，5V450 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 5mA2.5V @ 6mA2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 4.5 V1.3 nC @ 5 V6.5 nC @ 5 V12.2 nC @ 5 V17.7 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60.67 pF @ 16 V140 pF @ 100 V685 pF @ 50 V1449 pF @ 40 V1790 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
290mW（Ta）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-323模具
封装/外壳
SC-70，SOT-323模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Diodes Incorporated
539,395
现货
7,773,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48195
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
1.8V，4.5V
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
290mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
7,350
现货
1 : ¥23.97000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.80774
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
5A（Ta）
5V
100 毫欧 @ 3A，5V
2.5V @ 1mA
1.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
34,800
现货
1 : ¥30.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥14.97530
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
16A（Ta）
5V
7 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 5mA
6.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
685 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
31,518
现货
1 : ¥52.30000
剪切带（CT）
2,500 : ¥27.79676
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
32A（Ta）
5V
8 毫欧 @ 20A，5V
2.5V @ 6mA
17.7 nC @ 5 V
+6V，-4V
1790 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2065
EPC2065
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC
2,560
现货
1 : ¥26.35000
剪切带（CT）
1,000 : ¥13.63201
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
80 V
60A（Ta）
5V
3.6 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 7mA
12.2 nC @ 5 V
+6V，-4V
1449 pF @ 40 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。