单 FET,MOSFET

结果 : 12
制造商
EPConsemi
系列
-eGaN®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V80 V100 V150 V350 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A(Ta)6.3A(Ta)16A(Ta)29A(Ta)31A(Ta)60A(Ta)80A(Ta)90A(Ta)101A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.3 毫欧 @ 40A,5V1.5 毫欧 @ 37A,5V1.8毫欧 @ 50A,5V2.2 毫欧 @ 29A,5V2.2 毫欧 @ 30A,5V2.4 毫欧 @ 30A,5V3.2 毫欧 @ 25A,5V6 毫欧 @ 16A,5V7 毫欧 @ 16A,5V70 毫欧 @ 2A,4.5V180 毫欧 @ 6A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA2.5V @ 11mA2.5V @ 13mA2.5V @ 14mA2.5V @ 16mA2.5V @ 19mA2.5V @ 1mA2.5V @ 20mA2.5V @ 4mA2.5V @ 5mA2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4 nC @ 5 V6.5 nC @ 5 V7.4 nC @ 5 V10 nC @ 4.5 V13.6 nC @ 5 V17.8 nC @ 5 V18 nC @ 5 V19 nC @ 5 V21 nC @ 5 V23 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V6V±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
628 pF @ 280 V685 pF @ 50 V779 pF @ 10 V851 pF @ 50 V1570 pF @ 50 V1900 pF @ 20 V1940 pF @ 40 V2100 pF @ 20 V2300 pF @ 15 V2703 pF @ 50 V2900 pF @ 75 V3200 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
7-QFN(3x5)SOT-23-3模具
封装/外壳
7-PowerWQFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果

显示
/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDN340P
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
onsemi
91,705
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.01351
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2A(Ta)
2.5V,4.5V
70 毫欧 @ 2A,4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
779 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
503
现货
1 : ¥19.79000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.93294
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
29A(Ta)
5V
6 毫欧 @ 16A,5V
2.5V @ 4mA
7.4 nC @ 5 V
+6V,-4V
851 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2218A
EPC2218A
TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
EPC
23,295
现货
1 : ¥30.29000
剪切带(CT)
1,000 : ¥20.11419
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
80 V
60A(Ta)
5V
3.2 毫欧 @ 25A,5V
2.5V @ 7mA
13.6 nC @ 5 V
+6V,-4V
1570 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
34,543
现货
1 : ¥30.79000
剪切带(CT)
2,500 : ¥14.97530
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
16A(Ta)
5V
7 毫欧 @ 16A,5V
2.5V @ 5mA
6.5 nC @ 5 V
+6V,-4V
685 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2050
EPC2050
TRANS GAN BUMPED DIE
EPC
12,643
现货
1 : ¥33.66000
剪切带(CT)
2,500 : ¥22.37191
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
350 V
6.3A(Ta)
5V
180 毫欧 @ 6A,5V
2.5V @ 1mA
4 nC @ 5 V
+6V,-4V
628 pF @ 280 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2065
EPC2088
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
EPC
2,063
现货
1 : ¥34.07000
剪切带(CT)
1,000 : ¥17.60805
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
-
100 V
60A(Ta)
5V
3.2 毫欧 @ 25A,5V
2.5V @ 7mA
17.8 nC @ 5 V
+6V,-4V
2703 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
EPC
59,037
现货
1 : ¥53.20000
剪切带(CT)
500 : ¥32.10652
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
80 V
90A(Ta)
5V
2.2 毫欧 @ 29A,5V
2.5V @ 13mA
19 nC @ 5 V
+6V,-4V
1940 pF @ 40 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
61,027
现货
1 : ¥54.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥36.28781
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
101A(Ta)
5V
1.8毫欧 @ 50A,5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V,-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
eGaN Series
EPC2024
GANFET NCH 40V 60A DIE
EPC
3,456
现货
1 : ¥66.91000
剪切带(CT)
500 : ¥42.16460
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET(氮化镓)
40 V
90A(Ta)
5V
1.5 毫欧 @ 37A,5V
2.5V @ 19mA
-
+6V,-4V
2100 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2030
GANFET NCH 40V 31A DIE
EPC
3,508
现货
1 : ¥59.77000
剪切带(CT)
500 : ¥37.68694
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET(氮化镓)
40 V
31A(Ta)
-
2.4 毫欧 @ 30A,5V
2.5V @ 16mA
18 nC @ 5 V
-
1900 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2023
GANFET N-CH 30V 60A DIE
EPC
5,617
现货
1 : ¥68.31000
剪切带(CT)
500 : ¥43.03534
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET(氮化镓)
30 V
60A(Ta)
-
1.3 毫欧 @ 40A,5V
2.5V @ 20mA
-
-
2300 pF @ 15 V
-
-
-
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2305ENGRT
EPC2305ENGRT
TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
EPC
139
现货
1 : ¥65.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥34.61486
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Key 停止提供
N 通道
GaNFET(氮化镓)
150 V
80A(Ta)
5V
2.2 毫欧 @ 30A,5V
2.5V @ 11mA
21 nC @ 5 V
6V
2900 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。