单 FET,MOSFET
结果 : 104
包装
产品状态
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
104结果
搜索条目
显示 / 104
1 - 25
Sort By: 精选
比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 等级 | 资质 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2,203 现货 | 1 : ¥59.19000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 3.7A(Tc) | 18V | 1.5 欧姆 @ 1.1A,18V | 4V @ 900µA | 14 nC @ 18 V | +22V,-6V | 184 pF @ 800 V | - | 35W(Tc) | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-3PFM | TO-3PFM,SC-93-3 | ||
6,315 现货 | 1 : ¥72.25000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 650 V | 21A(Tc) | 18V | 156 毫欧 @ 6.7A,18V | 5.6V @ 3.33mA | 38 nC @ 18 V | +22V,-4V | 460 pF @ 500 V | - | 103W(Tc) | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
2,005 现货 | 1 : ¥82.84000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 17A(Tc) | 18V | 208 毫欧 @ 5A,18V | 5.6V @ 2.5mA | 42 nC @ 18 V | +22V,-4V | 398 pF @ 800 V | - | 103W(Tc) | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
130 现货 | 1 : ¥93.67000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 10A(Tc) | 18V | 585 毫欧 @ 3A,18V | 4V @ 900µA | 27 nC @ 18 V | +22V,-6V | 463 pF @ 800 V | - | 85W(Tc) | 175°C | - | - | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
1,579 现货 | 1 : ¥220.60000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 55A(Tc) | 18V | 52 毫欧 @ 20A,18V | 5.6V @ 10mA | 107 nC @ 18 V | +22V,-4V | 1337 pF @ 800 V | - | 262W(Tc) | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
9,088 现货 | 1 : ¥245.80000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 650 V | 70A(Tc) | 18V | 39 毫欧 @ 27A,18V | 5.6V @ 13.3mA | 104 nC @ 18 V | +22V,-4V | 1526 pF @ 500 V | - | 262W(Tc) | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
377 现货 | 1 : ¥298.26000 剪切带(CT) 1,000 : ¥194.69637 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 750 V | 98A(Tj) | 18V | 16.9 毫欧 @ 58A,18V | 4.8V @ 30.8mA | 170 nC @ 18 V | +21V,-4V | 4580 pF @ 500 V | - | 267W | 175°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | TO-263-7L | TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA | ||
1,492 现货 | 1 : ¥418.54000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 650 V | 93A(Tc) | 18V | 28.6 毫欧 @ 36A,18V | 5.6V @ 18.2mA | 133 nC @ 18 V | +22V,-4V | 2208 pF @ 500 V | - | 339W(Tc) | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
1,527 现货 | 1 : ¥52.46000 剪切带(CT) 400 : ¥33.66213 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 4A(Tc) | 18V | 1.5 欧姆 @ 1.1A,18V | 4V @ 410µA | 14 nC @ 18 V | +22V,-6V | 184 pF @ 800 V | - | 44W(Tc) | 175°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | TO-268 | TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA | ||
796 现货 | 1 : ¥113.05000 剪切带(CT) 1,000 : ¥94.75222 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 40A(Tj) | 18V | 47 毫欧 @ 21A,18V | 4.8V @ 11.1mA | 91 nC @ 18 V | +21V,-4V | 2335 pF @ 800 V | - | 150W | 175°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | TO-263-7L | TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA | ||
4,739 现货 | 1 : ¥119.21000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 26A(Tc) | 18V | 81 毫欧 @ 12A,18V | 4.8V @ 6.45mA | 64 nC @ 18 V | +21V,-4V | 1498 pF @ 800 V | - | 115W | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
466 现货 | 1 : ¥122.82000 剪切带(CT) 1,000 : ¥77.79382 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 24A(Tc) | 18V | 81 毫欧 @ 12A,18V | 4.8V @ 6.45mA | 64 nC @ 18 V | +21V,-4V | 1498 pF @ 800 V | - | 93W | 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | TO-263-7L | TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA | ||
601 现货 | 1 : ¥124.79000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 17A(Tc) | 18V | 208 毫欧 @ 5A,18V | 5.6V @ 2.5mA | 42 nC @ 18 V | +22V,-4V | 398 pF @ 800 V | - | 103W | 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
3,841 现货 | 1 : ¥174.54000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 750 V | 56A(Tc) | 18V | 34 毫欧 @ 29A,18V | 4.8V @ 15.4mA | 94 nC @ 18 V | +21V,-4V | 2320 pF @ 500 V | - | 176W | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
4,781 现货 | 1 : ¥177.33000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 43A(Tc) | 18V | 47 毫欧 @ 21A,18V | 4.8V @ 11.1mA | 91 nC @ 18 V | +21V,-4V | 2335 pF @ 800 V | - | 176W | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
4,713 现货 | 1 : ¥177.33000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 43A(Tc) | 18V | 47 毫欧 @ 21A,18V | 4.8V @ 11.1mA | 91 nC @ 18 V | +21V,-4V | 2335 pF @ 800 V | - | 176W | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
236 现货 | 1 : ¥182.59000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 43A(Tc) | 18V | 47 毫欧 @ 21A,18V | 4.8V @ 11.1mA | 91 nC @ 18 V | +21V,-4V | 2335 pF @ 800 V | - | 176W | 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 通孔 | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
992 现货 | 1 : ¥205.41000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 40A(Tc) | 18V | 117 毫欧 @ 10A,18V | 4V @ 4.4mA | 106 nC @ 18 V | +22V,-6V | 2080 pF @ 800 V | - | 262W(Tc) | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
366 现货 | 1 : ¥298.26000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 750 V | 105A(Tj) | 18V | 16.9 毫欧 @ 58A,18V | 4.8V @ 30.8mA | 170 nC @ 18 V | +21V,-4V | 4580 pF @ 500 V | - | 312W | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
900 现货 | 1 : ¥303.35000 剪切带(CT) 1,000 : ¥198.02925 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 75A(Tj) | 18V | 23.4 毫欧 @ 42A,18V | 4.8V @ 22.2mA | 170 nC @ 18 V | +21V,-4V | 4532 pF @ 800 V | - | 267W | 175°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | TO-263-7L | TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA | ||
385 现货 | 1 : ¥303.35000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 81A(Tj) | 18V | 23.4 毫欧 @ 42A,18V | 4.8V @ 22.2mA | 170 nC @ 18 V | +21V,-4V | 4532 pF @ 800 V | - | 312W | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
4,786 现货 | 1 : ¥337.59000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 81A(Tc) | 18V | 23.4 毫欧 @ 42A,18V | 4.8V @ 22.2mA | 170 nC @ 18 V | +21V,-4V | 4532 pF @ 800 V | - | 312W | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
818 现货 | 1 : ¥426.59000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 55A(Tc) | 18V | 52 毫欧 @ 20A,18V | 5.6V @ 10mA | 107 nC @ 18 V | +22V,-4V | 1337 pF @ 800 V | - | 262W | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
275 现货 | 1 : ¥640.29000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 72A(Tc) | 18V | 39 毫欧 @ 27A,18V | 5.6V @ 13.3mA | 131 nC @ 18 V | +22V,-4V | 2222 pF @ 800 V | - | 339W(Tc) | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
2,216 现货 | 1 : ¥81.69000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 650 V | 21A(Tc) | 18V | 156 毫欧 @ 6.7A,18V | 5.6V @ 3.33mA | 38 nC @ 18 V | +22V,-4V | 460 pF @ 500 V | - | 103W | 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 |
显示 / 104
1 - 25