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市场产品
SIR624DP-T1-GE3 没有现货，但可以进行缺货下单。
可用替代品:
SIR624DP-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIR624DP-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SIR624DP-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SIR624DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIR624DP-T1-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8 |
原厂标准交货期 | 34 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 200 V 18.6A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK® SO-8 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7.5V，10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 10A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23 nC @ 7.5 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1110 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 52W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.52000 | ¥9.52 |
| 10 | ¥7.76700 | ¥77.67 |
| 100 | ¥6.04250 | ¥604.25 |
| 500 | ¥5.12164 | ¥2,560.82 |
| 1,000 | ¥4.17209 | ¥4,172.09 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 3,000 | ¥3.92752 | ¥11,782.56 |
| 6,000 | ¥3.74052 | ¥22,443.12 |
| 9,000 | ¥3.56787 | ¥32,110.83 |
制造商标准包装
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