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SI7252DP-T1-GE3 没有现货，但可以进行缺货下单。
可用替代品:
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SI7252DP-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SI7252DP-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SI7252DP-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SI7252DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SI7252DP-T1-GE3 |
描述 | MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8 |
原厂标准交货期 | 34 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 100V 36.7A 46W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SI7252DP-T1-GE3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 N-通道（双） | |
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压（Vdss） | 100V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36.7A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 15A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1170pF @ 50V | |
功率 - 最大值 | 46W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 双 | |
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.16000 | ¥17.16 |
| 10 | ¥14.22000 | ¥142.20 |
| 100 | ¥11.31810 | ¥1,131.81 |
| 500 | ¥9.57732 | ¥4,788.66 |
| 1,000 | ¥8.12613 | ¥8,126.13 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 3,000 | ¥7.71983 | ¥23,159.49 |
| 6,000 | ¥7.42961 | ¥44,577.66 |
| 9,000 | ¥7.18364 | ¥64,652.76 |
制造商标准包装
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